Продукція > ONSEMI > MUN2214T1G
MUN2214T1G

MUN2214T1G onsemi

dtc114y-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.20 грн
6000+2.01 грн
9000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2214T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN2214T1G за ціною від 1.52 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi DTC114Y_D-1773586.pdf Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.09 грн
48+6.65 грн
100+3.65 грн
500+2.69 грн
1000+2.34 грн
3000+1.86 грн
6000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
35+8.73 грн
100+4.69 грн
500+3.46 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor DTC114Y_D-1773586.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G DTC114Y_D-1773586.pdf
MUN2214T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.09 грн
48+6.65 грн
100+3.65 грн
500+2.69 грн
1000+2.34 грн
3000+1.86 грн
6000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
73+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.17 грн
35+8.73 грн
100+4.69 грн
500+3.46 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G DTC114Y_D-1773586.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.