MUN2214T1G

MUN2214T1G ON Semiconductor


dtc114y-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 97118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11364+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 11364
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2214T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN2214T1G за ціною від 1.05 грн до 14.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9555+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 9555
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.25 грн
6000+2.04 грн
9000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.25 грн
6608+1.97 грн
9000+1.50 грн
15000+1.43 грн
21000+1.31 грн
24000+1.19 грн
30000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.41 грн
6000+2.11 грн
9000+1.61 грн
15000+1.53 грн
21000+1.41 грн
24000+1.27 грн
30000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.68 грн
1500+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 97118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+6.31 грн
223+3.33 грн
332+2.24 грн
500+1.73 грн
1000+1.26 грн
3000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1834+7.09 грн
1885+6.90 грн
1938+6.71 грн
3000+6.29 грн
6000+5.65 грн
15000+5.26 грн
30000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 1834
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SC59
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+10.01 грн
61+6.93 грн
119+3.56 грн
500+2.30 грн
1000+1.97 грн
3000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : onsemi DTC114Y_D-1773586.pdf Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.30 грн
48+6.78 грн
100+3.72 грн
500+2.74 грн
1000+2.39 грн
3000+1.90 грн
6000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.53 грн
107+7.68 грн
169+4.86 грн
500+3.28 грн
1500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.43 грн
35+8.90 грн
100+4.78 грн
500+3.53 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+14.36 грн
91+8.21 грн
93+8.00 грн
100+7.52 грн
250+6.78 грн
500+6.33 грн
1000+6.16 грн
3000+5.99 грн
6000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor DTC114Y_D-1773586.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.