Продукція > ONSEMI > MUN2214T1G
MUN2214T1G

MUN2214T1G onsemi

dtc114y-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.26 грн
6000+2.06 грн
9000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2214T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN2214T1G за ціною від 1.32 грн до 13.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.78 грн
1500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1782+6.83 грн
2869+4.24 грн
4121+2.95 грн
5068+2.32 грн
6000+2.12 грн
15000+1.63 грн
30000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 1782
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.41 грн
73+5.27 грн
100+4.72 грн
500+1.79 грн
1372+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.23W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.89 грн
50+6.57 грн
100+5.66 грн
500+2.15 грн
1372+2.03 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+11.78 грн
54+11.17 грн
55+11.06 грн
100+6.17 грн
250+5.66 грн
500+3.38 грн
1000+2.35 грн
3000+1.91 грн
6000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.60 грн
110+7.54 грн
210+3.93 грн
500+3.46 грн
1500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : onsemi DTC114Y_D-2311148.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 22048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.76 грн
40+8.61 грн
100+3.60 грн
1000+2.13 грн
3000+1.83 грн
9000+1.39 грн
24000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.50 грн
35+8.94 грн
100+4.81 грн
500+3.55 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor DTC114Y_D-1773586.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.