Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2214T1G
MUN2214T1G

MUN2214T1G ON Semiconductor

dtc114y-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 97118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11364+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 11364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2214T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN2214T1G за ціною від 1.06 грн до 14.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9555+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 9555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+2.03 грн
9000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
6000+2.14 грн
9000+1.63 грн
15000+1.55 грн
21000+1.43 грн
24000+1.29 грн
30000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.45 грн
6608+2.14 грн
9000+1.63 грн
15000+1.55 грн
21000+1.43 грн
24000+1.29 грн
30000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 97118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+6.40 грн
223+3.38 грн
332+2.27 грн
500+1.75 грн
1000+1.28 грн
3000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+7.70 грн
1885+7.49 грн
1938+7.28 грн
3000+6.83 грн
6000+6.14 грн
15000+5.72 грн
30000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 33799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.91 грн
59+7.11 грн
88+4.79 грн
105+4.01 грн
500+2.74 грн
1000+2.37 грн
3000+1.94 грн
6000+1.75 грн
9000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.30 грн
35+8.81 грн
100+4.74 грн
500+3.49 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.55 грн
91+8.32 грн
93+8.11 грн
100+7.62 грн
250+6.87 грн
500+6.42 грн
1000+6.24 грн
3000+6.07 грн
6000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi DTC114Y_D-1773586.pdf Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor DTC114Y_D-1773586.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9555+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 9555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.22 грн
6000+2.03 грн
9000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.45 грн
6000+2.14 грн
9000+1.63 грн
15000+1.55 грн
21000+1.43 грн
24000+1.29 грн
30000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5770+2.45 грн
6608+2.14 грн
9000+1.63 грн
15000+1.55 грн
21000+1.43 грн
24000+1.29 грн
30000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 97118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+6.40 грн
223+3.38 грн
332+2.27 грн
500+1.75 грн
1000+1.28 грн
3000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1834+7.70 грн
1885+7.49 грн
1938+7.28 грн
3000+6.83 грн
6000+6.14 грн
15000+5.72 грн
30000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214.PDF
MUN2214T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 33799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.91 грн
59+7.11 грн
88+4.79 грн
105+4.01 грн
500+2.74 грн
1000+2.37 грн
3000+1.94 грн
6000+1.75 грн
9000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.30 грн
35+8.81 грн
100+4.74 грн
500+3.49 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+14.55 грн
91+8.32 грн
93+8.11 грн
100+7.62 грн
250+6.87 грн
500+6.42 грн
1000+6.24 грн
3000+6.07 грн
6000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G DTC114Y_D-1773586.pdf
MUN2214T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G DTC114Y_D-1773586.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G 2353855.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.