Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2214T1G
MUN2214T1G

MUN2214T1G ON Semiconductor

dtc114y-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1782+6.57 грн
2869+ 4.08 грн
4121+ 2.84 грн
5068+ 2.23 грн
6000+ 2.04 грн
15000+ 1.57 грн
30000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 1782
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2214T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MUN2214T1G за ціною від 1.2 грн до 12.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+11.33 грн
54+ 10.74 грн
55+ 10.63 грн
100+ 5.93 грн
250+ 5.45 грн
500+ 3.25 грн
1000+ 2.26 грн
3000+ 1.84 грн
6000+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 52
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : onsemi DTC114Y_D-2311148.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 22048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.61 грн
40+ 7.83 грн
100+ 3.27 грн
1000+ 1.94 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.28 грн
35+ 8 грн
100+ 4.32 грн
500+ 3.18 грн
1000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+12.81 грн
87+ 8.69 грн
185+ 4.06 грн
500+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 59
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor DTC114Y_D-1773586.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2214T1G MUN2214T1G Виробник : ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній