Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2214T1G
MUN2214T1G

MUN2214T1G ON Semiconductor

dtc114y-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 97118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11364+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 11364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 11364 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2214T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN2214T1G за ціною від 1.09 грн до 14.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9555+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 9555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
6000+2.19 грн
9000+1.67 грн
15000+1.59 грн
21000+1.47 грн
24000+1.32 грн
30000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.51 грн
6608+2.19 грн
9000+1.67 грн
15000+1.59 грн
21000+1.47 грн
24000+1.32 грн
30000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 97118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+6.57 грн
223+3.47 грн
332+2.33 грн
500+1.80 грн
1000+1.31 грн
3000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+7.90 грн
1885+7.69 грн
1938+7.48 грн
3000+7.01 грн
6000+6.30 грн
15000+5.87 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 33779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
59+7.06 грн
88+4.75 грн
105+3.98 грн
500+2.72 грн
1000+2.35 грн
3000+1.93 грн
6000+1.74 грн
9000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.64 грн
44+6.88 грн
100+4.23 грн
500+2.88 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 7234 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.19 грн
100+3.97 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
3000+1.99 грн
6000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.94 грн
91+8.54 грн
93+8.33 грн
100+7.82 грн
250+7.06 грн
500+6.59 грн
1000+6.41 грн
3000+6.23 грн
6000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9555+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 9555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.17 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.51 грн
6000+2.19 грн
9000+1.67 грн
15000+1.59 грн
21000+1.47 грн
24000+1.32 грн
30000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5770+2.51 грн
6608+2.19 грн
9000+1.67 грн
15000+1.59 грн
21000+1.47 грн
24000+1.32 грн
30000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 97118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+6.57 грн
223+3.47 грн
332+2.33 грн
500+1.80 грн
1000+1.31 грн
3000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1834+7.90 грн
1885+7.69 грн
1938+7.48 грн
3000+7.01 грн
6000+6.30 грн
15000+5.87 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214.PDF
MUN2214T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 33779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.84 грн
59+7.06 грн
88+4.75 грн
105+3.98 грн
500+2.72 грн
1000+2.35 грн
3000+1.93 грн
6000+1.74 грн
9000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.64 грн
44+6.88 грн
100+4.23 грн
500+2.88 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 7234 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
43+7.19 грн
100+3.97 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
3000+1.99 грн
6000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+14.94 грн
91+8.54 грн
93+8.33 грн
100+7.82 грн
250+7.06 грн
500+6.59 грн
1000+6.41 грн
3000+6.23 грн
6000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G 2353855.pdf
MUN2214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.