Продукція > ONSEMI > MUN2215T1G
MUN2215T1G

MUN2215T1G ONSEMI

DTC114T-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2215T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.07 грн
9000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2215T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MUN2215T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 338mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції MUN2215T1G за ціною від 1.50 грн до 14.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN2215T1G MUN2215T1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
6000+2.18 грн
9000+1.81 грн
30000+1.67 грн
75000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G MUN2215T1G onsemi DTC114T_D-1773584.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.46 грн
42+7.60 грн
100+4.13 грн
500+2.89 грн
1000+2.48 грн
3000+2.07 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G MUN2215T1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
32+9.55 грн
100+4.69 грн
500+3.67 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G MUN2215T1G ON Semiconductor DTC114T_D-1773584.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G dtc114t-d.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G dtc114t-d.pdf
MUN2215T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.45 грн
6000+2.18 грн
9000+1.81 грн
30000+1.67 грн
75000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G DTC114T_D-1773584.pdf
MUN2215T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
26+12.46 грн
42+7.60 грн
100+4.13 грн
500+2.89 грн
1000+2.48 грн
3000+2.07 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G dtc114t-d.pdf
MUN2215T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.72 грн
32+9.55 грн
100+4.69 грн
500+3.67 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G DTC114T_D-1773584.pdf
MUN2215T1G
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2215T1G dtc114t-d.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.