Продукція > ONSEMI > MUN2230T1G
MUN2230T1G

MUN2230T1G onsemi

dtc113e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10606+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 10606
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2230T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 338 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.

Інші пропозиції MUN2230T1G за ціною від 2.13 грн до 22.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2230T1G MUN2230T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12196+2.54 грн
100000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 12196
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2230T1G MUN2230T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12196+2.54 грн
100000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 12196
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2230T1G MUN2230T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12196+2.54 грн
100000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 12196
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2230T1G MUN2230T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12196+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 12196
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2230T1G MUN2230T1G Виробник : onsemi DTC113E_D-1387470.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.63 грн
19+18.53 грн
100+8.55 грн
500+5.57 грн
1000+3.82 грн
3000+2.98 грн
9000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2230T1G MUN2230T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2230T1G MUN2230T1G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.