MUN2231T1G

MUN2231T1G ON Semiconductor


dtc123e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2231T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 338 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

Інші пропозиції MUN2231T1G за ціною від 1.32 грн до 14.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.32 грн
6000+1.99 грн
9000+1.87 грн
15000+1.62 грн
21000+1.54 грн
30000+1.47 грн
75000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : onsemi DTC123E_D-1387490.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.38 грн
42+8.43 грн
100+4.54 грн
500+3.33 грн
1000+2.95 грн
3000+2.57 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.72 грн
38+8.51 грн
100+5.29 грн
500+3.62 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G Виробник : ONSEMI dtc123e-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2231T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G Виробник : ON dtc123e-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G Виробник : ONSEMI dtc123e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.