Продукція > ONSEMI > MUN2231T1G
MUN2231T1G

MUN2231T1G onsemi

dtc123e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.19 грн
6000+1.88 грн
9000+1.77 грн
15000+1.54 грн
21000+1.46 грн
30000+1.39 грн
75000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2231T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 338 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

Інші пропозиції MUN2231T1G за ціною від 3.01 грн до 13.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN2231T1G MUN2231T1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
38+8.06 грн
100+5.01 грн
500+3.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G onsemi DTC123E_D-1387490.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G ON dtc123e-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G dtc123e-d.pdf
MUN2231T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
38+8.06 грн
100+5.01 грн
500+3.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G DTC123E_D-1387490.pdf
MUN2231T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G dtc123e-d.pdf
Виробник: ON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.