Продукція > ONSEMI > MUN2232T1G
MUN2232T1G

MUN2232T1G onsemi

dtc143e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.00 грн
6000+1.82 грн
9000+1.55 грн
30000+1.35 грн
75000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2232T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN2232T1G за ціною від 2.19 грн до 11.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN2232T1G MUN2232T1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 4167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G MUN2232T1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G MUN2232T1G onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
38+7.91 грн
100+4.27 грн
500+3.15 грн
1000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G MUN2232T1G onsemi DTC143E_D-1773665.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G MUN2232T1G ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G MUN2232T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G MUN2232T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G dtc143e-d.pdf
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G dtc143e-d.pdf
MUN2232T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 4167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G dtc143e-d.pdf
MUN2232T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G dtc143e-d.pdf
MUN2232T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
38+7.91 грн
100+4.27 грн
500+3.15 грн
1000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G DTC143E_D-1773665.pdf
MUN2232T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G dtc143e-d.pdf
MUN2232T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN2232T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN2232T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2232T1G dtc143e-d.pdf
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.