MUN2233T1G ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2233T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MUN2233T1G за ціною від 1.25 грн до 14.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 30529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 67000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2233T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2233T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 37444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2233T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
на замовлення 11972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2233T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 100959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2233T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 37444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MUN2233T1G | Виробник : ONSEMI |
MUN2233T1G NPN SMD transistors |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |