Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN2233T1G
MUN2233T1G

MUN2233T1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2233T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN2233T1G за ціною від 1.21 грн до 13.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.08 грн
6000+1.90 грн
9000+1.62 грн
30000+1.40 грн
75000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 30529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.36 грн
1500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : onsemi DTC143Z_D-1773621.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.17 грн
48+7.39 грн
100+4.01 грн
500+2.95 грн
1000+2.57 грн
3000+2.04 грн
6000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 100959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.27 грн
39+8.19 грн
100+4.44 грн
500+3.28 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+13.66 грн
101+8.46 грн
163+5.23 грн
500+3.36 грн
1500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EABAFB684AC749&compId=MUN2233.PDF?ci_sign=3447858b8727e1712f440bf1106571edd32a1003 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2233T1G MUN2233T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EABAFB684AC749&compId=MUN2233.PDF?ci_sign=3447858b8727e1712f440bf1106571edd32a1003 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.