MUN2235T1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8772+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2235T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції MUN2235T1G за ціною від 1.33 грн до 13.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN2235T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2235T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2235T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 128829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2235T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MUN2235T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR |
на замовлення 13995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MUN2235T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MUN2235T1G | Виробник : Sanyo |
Description: DIGITAL TRANSISTOR (BRT) Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |