Продукція > ONSEMI > MUN2235T1G
MUN2235T1G

MUN2235T1G onsemi

dtc123j-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.22 грн
6000+1.93 грн
15000+1.68 грн
30000+1.42 грн
75000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2235T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції MUN2235T1G за ціною від 1.65 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN2235T1G MUN2235T1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 128829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
28+10.97 грн
100+6.01 грн
500+3.47 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2235T1G onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.09 грн
48+6.73 грн
100+3.65 грн
500+2.69 грн
1000+2.34 грн
3000+1.86 грн
6000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2235T1G dtc123j-d.pdf
MUN2235T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 128829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.17 грн
28+10.97 грн
100+6.01 грн
500+3.47 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2235T1G DTC123J_D-1387473.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.09 грн
48+6.73 грн
100+3.65 грн
500+2.69 грн
1000+2.34 грн
3000+1.86 грн
6000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.