
MUN2237T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 389700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11539+ | 2.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2237T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 338 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції MUN2237T1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUN2237T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
MUN2237T1G |
![]() |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
MUN2237T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MUN2237T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
товару немає в наявності |