MUN2237T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2237T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Power - Max: 338 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MUN2237T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN2237T1G | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 24219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUN2237T1G |
|
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUN2237T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 24219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)