MUN2240T1G ON Semiconductor
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13275+ | 2.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN2240T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN2240T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.
Інші пропозиції MUN2240T1G за ціною від 1.49 грн до 15.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN2240T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2240T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2240T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2240T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms |
на замовлення 319000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2240T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2240T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 9504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2240T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2240T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 9504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN2240T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 35519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN2240T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MUN2240T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MUN2240T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MUN2240T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MUN2240T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 338mW Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Current gain: 120...300 Quantity in set/package: 3000pcs. |
товару немає в наявності |