Продукція > ONSEMI > MUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G onsemi

dta114ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.80 грн
6000+3.28 грн
9000+3.09 грн
15000+2.70 грн
21000+2.58 грн
30000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5111DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5111DW1T1G за ціною від 2.35 грн до 20.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.07 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3074+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3074
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3062+4.24 грн
6000+3.63 грн
9000+3.03 грн
24000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3062
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.25 грн
6000+3.65 грн
9000+3.15 грн
24000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.54 грн
6000+3.89 грн
9000+3.24 грн
24000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : onsemi DTA114ED-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 59426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.64 грн
35+9.31 грн
100+5.47 грн
500+4.02 грн
1000+3.60 грн
3000+2.63 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+16.80 грн
85+9.53 грн
126+6.45 грн
500+4.07 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5111DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.05 грн
40+10.50 грн
100+6.32 грн
500+4.55 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 35376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.69 грн
28+10.95 грн
100+6.79 грн
500+4.68 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5111DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.46 грн
24+13.08 грн
100+7.59 грн
500+5.46 грн
1000+4.80 грн
3000+3.96 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.