MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G ON Semiconductor


dta114ed-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5111DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5111DW1T1G за ціною від 2.39 грн до 22.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.03 грн
6000+3.48 грн
9000+3.28 грн
15000+2.86 грн
21000+2.73 грн
30000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3074+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3074
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3062+4.04 грн
6000+3.47 грн
9000+2.89 грн
24000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3062
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.06 грн
6000+3.48 грн
9000+3.01 грн
24000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.32 грн
1000+3.52 грн
5000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.33 грн
6000+3.71 грн
9000+3.09 грн
24000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+17.82 грн
85+10.11 грн
124+6.91 грн
500+4.32 грн
1000+3.52 грн
5000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : onsemi DTA114ED-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 59426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.35 грн
35+10.28 грн
100+6.03 грн
500+4.43 грн
1000+3.97 грн
3000+2.90 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 35376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.83 грн
28+11.61 грн
100+7.20 грн
500+4.96 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G Виробник : ONSEMI dta114ed-d.pdf MUN5111DW1T1G PNP SMD transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.46 грн
342+3.29 грн
939+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.