Продукція > ONSEMI > MUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G onsemi

dta114ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.77 грн
6000+3.26 грн
9000+3.07 грн
15000+2.68 грн
21000+2.56 грн
30000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5111DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції MUN5111DW1T1G за ціною від 2.60 грн до 18.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
6000+3.71 грн
9000+3.20 грн
24000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3074+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3074 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.61 грн
6000+3.95 грн
9000+3.29 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+4.61 грн
6000+3.95 грн
9000+3.29 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.56 грн
28+10.87 грн
100+6.74 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G onsemi DTA114ED-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 59426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 31162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 31162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G dta114ed-d.pdf
MUN5111DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.32 грн
6000+3.71 грн
9000+3.20 грн
24000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G dta114ed-d.pdf
MUN5111DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3074+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3074 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G dta114ed-d.pdf
MUN5111DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.61 грн
6000+3.95 грн
9000+3.29 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G dta114ed-d.pdf
MUN5111DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3062+4.61 грн
6000+3.95 грн
9000+3.29 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G dta114ed-d.pdf
MUN5111DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.56 грн
28+10.87 грн
100+6.74 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G DTA114ED-D.PDF
MUN5111DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 59426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5111DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 31162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5111DW1T1G ONSM-S-A0013777052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5111DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 31162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.