Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5112DW1T1G
MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G ON Semiconductor

dta124ed-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5120+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 5120
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5112DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5112DW1T1G за ціною від 1.33 грн до 19.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9147+3.38 грн
10274+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 9147
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9147+3.38 грн
10274+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 9147
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : onsemi dta124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.98 грн
6000+3.44 грн
9000+3.24 грн
15000+2.83 грн
21000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EA7B8E0F546749&compId=MUN5112DW1.PDF?ci_sign=53cd7d7b219f4787409c7fe4f401de51774bb2b9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.85 грн
109+3.66 грн
175+2.28 грн
500+1.69 грн
664+1.41 грн
1824+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EA7B8E0F546749&compId=MUN5112DW1.PDF?ci_sign=53cd7d7b219f4787409c7fe4f401de51774bb2b9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.22 грн
66+4.56 грн
105+2.74 грн
500+2.02 грн
664+1.69 грн
1824+1.59 грн
3000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : onsemi DTA124ED-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.16 грн
31+11.59 грн
100+6.34 грн
500+4.66 грн
1000+4.12 грн
3000+3.36 грн
6000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : onsemi dta124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.83 грн
28+11.46 грн
100+7.13 грн
500+4.91 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003157589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.