Продукція > ONSEMI > MUN5112DW1T1G
MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G onsemi

dta124ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6076+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 6076 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5112DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5112DW1T1G за ціною від 1.55 грн до 7.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G ONSEMI MUN5112DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.10 грн
109+3.79 грн
175+2.36 грн
500+1.75 грн
1000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G onsemi dta124ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0003157589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1.PDF
MUN5112DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.10 грн
109+3.79 грн
175+2.36 грн
500+1.75 грн
1000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G dta124ed-d.pdf
MUN5112DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G ONSM-S-A0003157589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.