MUN5112DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5120+ | 2.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5112DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5112DW1T1G за ціною від 1.66 грн до 20.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN5112DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5112DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5112DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5112DW1T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP |
на замовлення 3718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5112DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 22796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MUN5112DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
MUN5112DW1T1G PNP SMD transistors |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MUN5112DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MUN5112DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |