 
MUN5112T1G ON Semiconductor
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 334+ | 2.12 грн | 
| 560+ | 1.26 грн | 
| 621+ | 1.14 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5112T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms. 
Інші пропозиції MUN5112T1G за ціною від 1.71 грн до 13.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MUN5112T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 69000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 117000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 173900 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 54000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 36000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 15000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : onsemi |  Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 11400 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 15000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 13240 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 934 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 467900 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G |   | на замовлення 39000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Quantity in set/package: 3000pcs. Current gain: 60...100 | товару немає в наявності |