Продукція > ONSEMI > MUN5112T1G
MUN5112T1G

MUN5112T1G onsemi

dta124e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 202 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.16 грн
6000+1.97 грн
9000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5112T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Power - Max: 202 mW.

Інші пропозиції MUN5112T1G за ціною від 1.62 грн до 12.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5112T1G MUN5112T1G onsemi DTA124E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.35 грн
49+6.73 грн
100+3.59 грн
500+2.61 грн
1000+2.26 грн
3000+1.83 грн
6000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112T1G MUN5112T1G onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 13240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
36+8.55 грн
100+4.61 грн
500+3.40 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112T1G dta124e-d.pdf
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112T1G DTA124E-D.PDF
MUN5112T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.35 грн
49+6.73 грн
100+3.59 грн
500+2.61 грн
1000+2.26 грн
3000+1.83 грн
6000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112T1G dta124e-d.pdf
MUN5112T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 13240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.69 грн
36+8.55 грн
100+4.61 грн
500+3.40 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112T1G dta124e-d.pdf
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.