MUN5112T1G ON Semiconductor
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 334+ | 2.14 грн |
| 560+ | 1.27 грн |
| 621+ | 1.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5112T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції MUN5112T1G за ціною від 1.72 грн до 13.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 173900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 13240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 467900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G |
|
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |

