MUN5112T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.13 грн |
| 6000+ | 1.94 грн |
| 9000+ | 1.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5112T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції MUN5112T1G за ціною від 1.20 грн до 13.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 173900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 13240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 467900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G |
|
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 60...100 Quantity in set/package: 3000pcs. Base-emitter resistor: 22kΩ Base resistor: 22kΩ |
товару немає в наявності |