Продукція > ONSEMI > MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G

MUN5113DW1T1G onsemi

dta144ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.98 грн
6000+3.43 грн
9000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5113DW1T1G onsemi

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhm, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5113DW1T1G за ціною від 2.42 грн до 20.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EA8027D6ACE749&compId=MUN5113DW1.PDF?ci_sign=98cb11b696a291c3554e65d1e62d5441133bf036 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EA8027D6ACE749&compId=MUN5113DW1.PDF?ci_sign=98cb11b696a291c3554e65d1e62d5441133bf036 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.63 грн
100+3.18 грн
410+2.67 грн
1130+2.53 грн
3000+2.43 грн
12000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : onsemi dta144ed-d.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.30 грн
42+7.46 грн
100+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : onsemi dta144ed-d.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 11396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.37 грн
28+11.42 грн
100+7.12 грн
500+4.90 грн
1000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : onsemi DTA144ED_D-1773529.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.71 грн
28+12.52 грн
100+6.86 грн
500+5.00 грн
1000+4.33 грн
3000+3.43 грн
6000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.