Продукція > ONSEMI > MUN5113DW1T1G

MUN5113DW1T1G onsemi


dta144ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.60 грн
28+10.75 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5113DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm, Resistor - Base (R1): 47kOhm, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 187mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції MUN5113DW1T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G onsemi dta144ed-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5113DW1T1G dta144ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.