Продукція > ONSEMI > MUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G onsemi

dta114yd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.46 грн
6000+3.02 грн
9000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5114DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5114DW1T1G за ціною від 2.15 грн до 27.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : ONSEMI 2338004.pdf Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.38 грн
3000+3.32 грн
9000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1961+6.22 грн
1979+6.17 грн
2064+5.91 грн
3043+3.87 грн
3659+2.98 грн
6000+2.50 грн
15000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 1961
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5114DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
65+6.44 грн
130+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5114DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.72 грн
100+3.62 грн
410+2.63 грн
1120+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : onsemi dta114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 18661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
36+8.58 грн
100+5.75 грн
500+4.12 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+20.14 грн
45+13.52 грн
46+13.38 грн
105+5.57 грн
250+5.11 грн
500+4.71 грн
1000+3.19 грн
3000+2.65 грн
6000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : onsemi DTA114YD_D-2310943.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.72 грн
21+16.50 грн
100+6.11 грн
1000+4.12 грн
3000+3.38 грн
9000+2.80 грн
24000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : ONSEMI 2338004.pdf Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.81 грн
45+18.57 грн
110+7.53 грн
500+4.38 грн
3000+3.32 грн
9000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003157579-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 366379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.