Продукція > ONSEMI > MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G onsemi

Name: MUN5114DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 1482695-3
Price: 10680 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	3.56 грн
6000+	3.11 грн
9000+	2.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MUN5114DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5114DW1T1G за ціною від 2.16 грн до 28.66 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

MUN5114DW1T1G

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	4.51 грн
3000+	3.42 грн
9000+	2.83 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

MUN5114DW1T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 24250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1961+	6.27 грн
1979+	6.21 грн
2064+	5.96 грн
3043+	3.89 грн
3659+	3.00 грн
6000+	2.52 грн
15000+	2.16 грн

Мінімальне замовлення: 1961

В кошику од. на суму грн.

MUN5114DW1T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 18661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	13.94 грн
36+	8.85 грн
100+	5.92 грн
500+	4.24 грн
1000+	3.80 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

MUN5114DW1T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 24250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
31+	20.28 грн
45+	13.62 грн
46+	13.47 грн
105+	5.61 грн
250+	5.15 грн
500+	4.74 грн
1000+	3.21 грн
3000+	2.67 грн
6000+	2.34 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

MUN5114DW1T1G

Виробник : onsemi

Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	25.48 грн
21+	17.00 грн
100+	6.29 грн
1000+	4.25 грн
3000+	3.49 грн
9000+	2.88 грн
24000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

MUN5114DW1T1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 13559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	28.66 грн
45+	19.14 грн
110+	7.76 грн
500+	4.51 грн
3000+	3.42 грн
9000+	2.83 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

MUN5114DW1T1G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0003157579-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 366379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 15000

В кошику од. на суму грн.

MUN5114DW1T1G

Виробник : ONSEMI

MUN5114DW1T1G PNP SMD transistors

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
37+	8.40 грн
405+	2.75 грн
1115+	2.60 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

MUN5114DW1T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.