Продукція > ONSEMI > MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G onsemi


dta114yd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.45 грн
6000+3.01 грн
9000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5114DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5114DW1T1G за ціною від 2.58 грн до 26.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1961+7.47 грн
1979+7.40 грн
2064+7.10 грн
3043+4.64 грн
3659+3.57 грн
6000+3.00 грн
15000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 1961 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G onsemi dta114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 18661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.49 грн
36+8.56 грн
100+5.73 грн
500+4.11 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G onsemi DTA114YD_D-2310943.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 135 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+25.28 грн
19+16.87 грн
100+6.24 грн
1000+4.21 грн
3000+3.46 грн
9000+2.86 грн
24000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.03 грн
45+17.48 грн
46+17.29 грн
105+7.20 грн
250+6.61 грн
500+6.08 грн
1000+4.13 грн
3000+3.43 грн
6000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G ONSEMI 2338004.pdf Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G ONSEMI 2338004.pdf Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0003157579-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 366379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G mun5111dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1961+7.47 грн
1979+7.40 грн
2064+7.10 грн
3043+4.64 грн
3659+3.57 грн
6000+3.00 грн
15000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 1961 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G dta114yd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 18661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.49 грн
36+8.56 грн
100+5.73 грн
500+4.11 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G DTA114YD_D-2310943.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 135 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.28 грн
19+16.87 грн
100+6.24 грн
1000+4.21 грн
3000+3.46 грн
9000+2.86 грн
24000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G mun5111dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+26.03 грн
45+17.48 грн
46+17.29 грн
105+7.20 грн
250+6.61 грн
500+6.08 грн
1000+4.13 грн
3000+3.43 грн
6000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G 2338004.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G 2338004.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114DW1T1G ONSM-S-A0003157579-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 366379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.