MUN5114T1G

MUN5114T1G ON Semiconductor


dta114y-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5114T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MUN5114T1G за ціною від 1.36 грн до 13.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.82 грн
9000+1.51 грн
45000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6173+1.97 грн
9000+1.65 грн
45000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 6173
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5837+2.09 грн
6000+2.05 грн
9000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 5837
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : onsemi dta114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.17 грн
6000+1.98 грн
9000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ONSEMI dta114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.54 грн
1000+1.66 грн
5000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+7.93 грн
98+6.20 грн
105+5.79 грн
167+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+8.45 грн
134+4.52 грн
227+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ONSEMI dta114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+12.08 грн
108+7.49 грн
228+3.54 грн
500+2.54 грн
1000+1.66 грн
5000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : onsemi dta114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.42 грн
36+8.52 грн
100+4.63 грн
500+3.41 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : onsemi DTA114Y_D-2311147.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 16161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.23 грн
40+8.42 грн
100+3.23 грн
1000+2.44 грн
3000+1.87 грн
9000+1.58 грн
24000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809113-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 238161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G Виробник : ON dta114y-d.pdf 07+;
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5114T1G MUN5114T1G Виробник : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.