 
MUN5114T1G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 1.24 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5114T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018). 
Інші пропозиції MUN5114T1G за ціною від 1.50 грн до 14.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 48000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 48000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 15000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 195000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 11609 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 294 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 294 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 11609 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 14900 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|  | MUN5114T1G | Виробник : onsemi |  Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 16161 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| MUN5114T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MUN5114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 238161 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| MUN5114T1G | Виробник : ON |  07+; | на замовлення 21000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | MUN5114T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності |