Технічний опис MUN5116DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5116DW1T1G за ціною від 2.58 грн до 27.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 8535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 8535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5116DW1T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5116DW1T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP |
на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5116DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 46833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5495+ | 2.58 грн |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4902+ | 2.89 грн |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10910+ | 3.25 грн |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 191+ | 3.97 грн |
| 262+ | 2.89 грн |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3349+ | 4.23 грн |
| 9000+ | 3.51 грн |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2210+ | 6.42 грн |
| 2359+ | 6.01 грн |
| 2526+ | 5.61 грн |
| 2723+ | 5.02 грн |
| 3000+ | 4.29 грн |
| 6000+ | 3.78 грн |
| 15000+ | 3.43 грн |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 10.72 грн |
| 110+ | 6.88 грн |
| 111+ | 6.81 грн |
| 118+ | 6.19 грн |
| 250+ | 5.37 грн |
| 500+ | 4.81 грн |
| 1000+ | 4.46 грн |
| 3000+ | 4.12 грн |
| 6000+ | 3.78 грн |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.96 грн |
| 15+ | 20.04 грн |
| 100+ | 11.32 грн |
| 500+ | 7.04 грн |
| 1000+ | 5.39 грн |
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MUN5116DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5116DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5116DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




