Продукція > ONSEMI > MUN5130DW1T1G
MUN5130DW1T1G

MUN5130DW1T1G onsemi

dta113ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.51 грн
6000+3.03 грн
9000+2.85 грн
15000+2.49 грн
21000+2.38 грн
30000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5130DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 1kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5130DW1T1G за ціною від 2.47 грн до 25.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5130DW1T1G MUN5130DW1T1G onsemi dta113ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 41950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
31+10.08 грн
100+6.28 грн
500+4.33 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5130DW1T1G MUN5130DW1T1G onsemi DTA113ED_D-2310978.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.24 грн
20+16.86 грн
100+7.05 грн
1000+4.23 грн
3000+3.24 грн
9000+2.68 грн
24000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5130DW1T1G dta113ed-d.pdf
MUN5130DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 41950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.65 грн
31+10.08 грн
100+6.28 грн
500+4.33 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5130DW1T1G DTA113ED_D-2310978.pdf
MUN5130DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+25.24 грн
20+16.86 грн
100+7.05 грн
1000+4.23 грн
3000+3.24 грн
9000+2.68 грн
24000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.