 
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 21194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 9317+ | 1.33 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.40 грн до 19.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 132000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21194 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 333000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 99000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 333000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 93000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 48000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 42000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7035 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 53595 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : onsemi |  Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 58955 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 53595 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 50067 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7035 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1557 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | MUN5211DW1T1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Current gain: 60 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності |