Продукція > ONSEMI > MUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G onsemi

dtc114ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.29 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.25 грн до 24.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI MUN5211DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.33 грн
45+9.24 грн
52+8.01 грн
77+5.36 грн
100+4.52 грн
500+3.19 грн
715+1.31 грн
1964+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.20 грн
32+9.58 грн
100+5.94 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.98 грн
57+13.33 грн
100+8.22 грн
500+5.73 грн
1000+4.62 грн
3000+2.00 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.09 грн
57+13.39 грн
100+8.26 грн
500+5.75 грн
1000+4.64 грн
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 13443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.42 грн
100+21.58 грн
250+19.96 грн
500+19.13 грн
1000+19.10 грн
3000+19.06 грн
6000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 13443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G onsemi dtc114ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 20012 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+24.23 грн
22+13.71 грн
100+7.31 грн
500+5.19 грн
1000+4.61 грн
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor 2SC5707-TL-E.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4077+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1.PDF
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.33 грн
45+9.24 грн
52+8.01 грн
77+5.36 грн
100+4.52 грн
500+3.19 грн
715+1.31 грн
1964+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.20 грн
32+9.58 грн
100+5.94 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+21.98 грн
57+13.33 грн
100+8.22 грн
500+5.73 грн
1000+4.62 грн
3000+2.00 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
648+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+22.09 грн
57+13.39 грн
100+8.26 грн
500+5.75 грн
1000+4.64 грн
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 13443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.42 грн
100+21.58 грн
250+19.96 грн
500+19.13 грн
1000+19.10 грн
3000+19.06 грн
6000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 13443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
633+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 20012 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.23 грн
22+13.71 грн
100+7.31 грн
500+5.19 грн
1000+4.61 грн
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2140509.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2140509.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2SC5707-TL-E.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.