Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

dtc114edd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9317+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 9317
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.49 грн до 17.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.51 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5556+2.51 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 5556
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.04 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+3.34 грн
378+1.97 грн
497+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 52095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3158+4.41 грн
3290+4.23 грн
3425+4.07 грн
3580+3.75 грн
6000+3.32 грн
15000+3.04 грн
30000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3158
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.73 грн
1500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5211DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.99 грн
66+6.35 грн
76+5.51 грн
124+3.39 грн
500+2.41 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 52095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+12.03 грн
102+7.34 грн
112+6.68 грн
165+4.36 грн
250+3.94 грн
500+3.63 грн
1000+3.48 грн
3000+3.33 грн
6000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1110+12.55 грн
1745+7.98 грн
2385+5.84 грн
2723+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 1110
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 11615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.61 грн
32+9.40 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 81452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.68 грн
32+10.05 грн
100+5.48 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
3000+2.71 грн
6000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+17.97 грн
72+11.25 грн
117+6.98 грн
500+4.73 грн
1500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor 2SC5707-TL-E.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G Виробник : On Semiconductor DTC114ED-D.PDF SOT-363 100mA 250mW Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.