Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

dtc114ed-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.64 грн до 19.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 71234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
248+2.33 грн
9000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 248
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 71234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4644+2.51 грн
9000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 4644
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.54 грн
6000+ 2.27 грн
9000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2679+4.35 грн
2723+ 4.28 грн
3410+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 2679
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+10.36 грн
75+ 7.75 грн
76+ 7.68 грн
124+ 4.52 грн
250+ 3.6 грн
500+ 3.4 грн
1000+ 2.72 грн
3000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 56
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.09 грн
28+ 9.96 грн
100+ 4.86 грн
500+ 3.81 грн
1000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+19.08 грн
63+ 11.92 грн
150+ 4.99 грн
500+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.89 грн
28+ 11.15 грн
100+ 6.11 грн
1000+ 2.72 грн
2500+ 2.32 грн
10000+ 1.79 грн
30000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5211DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5211DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній