Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

dtc114edd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9375+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 9375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.51 грн до 16.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6199+2.28 грн
6277+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 6199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
6000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+3.39 грн
367+2.06 грн
500+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3165+4.47 грн
3290+4.30 грн
3433+4.12 грн
3580+3.81 грн
6000+3.37 грн
15000+3.09 грн
30000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.56 грн
127+6.36 грн
500+4.30 грн
1500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI MUN5211DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
57+7.30 грн
65+6.38 грн
112+3.73 грн
500+2.72 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.22 грн
102+7.41 грн
103+7.34 грн
167+4.36 грн
250+3.99 грн
500+3.69 грн
1000+3.53 грн
3000+3.39 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.40 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G onsemi dtc114ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 70916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.55 грн
32+9.98 грн
100+5.44 грн
500+4.00 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.55 грн
85+9.56 грн
127+6.36 грн
500+4.30 грн
1500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor 2SC5707-TL-E.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.28 грн
6000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6199+2.28 грн
6277+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 6199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.05 грн
6000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
223+3.39 грн
367+2.06 грн
500+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3165+4.47 грн
3290+4.30 грн
3433+4.12 грн
3580+3.81 грн
6000+3.37 грн
15000+3.09 грн
30000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2140509.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.56 грн
127+6.36 грн
500+4.30 грн
1500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1.PDF
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.82 грн
57+7.30 грн
65+6.38 грн
112+3.73 грн
500+2.72 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+12.22 грн
102+7.41 грн
103+7.34 грн
167+4.36 грн
250+3.99 грн
500+3.69 грн
1000+3.53 грн
3000+3.39 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.27 грн
32+9.40 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 70916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.55 грн
32+9.98 грн
100+5.44 грн
500+4.00 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2140509.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
49+16.55 грн
85+9.56 грн
127+6.36 грн
500+4.30 грн
1500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2SC5707-TL-E.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.