
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.49 грн до 17.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 25095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 61605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 50067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 61605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
MUN5211DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
MUN5211DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |