Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

dtc114edd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9375+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 9375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.51 грн до 16.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5396+2.62 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 5396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+3.39 грн
367+2.05 грн
500+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3165+4.46 грн
3290+4.29 грн
3433+4.11 грн
3580+3.80 грн
6000+3.36 грн
15000+3.08 грн
30000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI MUN5211DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.91 грн
57+7.36 грн
65+6.44 грн
112+3.77 грн
500+2.74 грн
1000+2.43 грн
1500+2.28 грн
3000+2.07 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.19 грн
102+7.39 грн
103+7.32 грн
167+4.35 грн
250+3.98 грн
500+3.68 грн
1000+3.52 грн
3000+3.38 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+13.10 грн
100+8.07 грн
500+5.62 грн
1000+4.54 грн
3000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1073+13.16 грн
1741+8.11 грн
2408+5.86 грн
2763+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 1073 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.42 грн
32+9.72 грн
100+6.01 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G onsemi dtc114ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 78189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor 2SC5707-TL-E.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.62 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5396+2.62 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 5396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+3.39 грн
367+2.05 грн
500+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3165+4.46 грн
3290+4.29 грн
3433+4.11 грн
3580+3.80 грн
6000+3.36 грн
15000+3.08 грн
30000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1.PDF
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.91 грн
57+7.36 грн
65+6.44 грн
112+3.77 грн
500+2.74 грн
1000+2.43 грн
1500+2.28 грн
3000+2.07 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+12.19 грн
102+7.39 грн
103+7.32 грн
167+4.35 грн
250+3.98 грн
500+3.68 грн
1000+3.52 грн
3000+3.38 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+13.10 грн
100+8.07 грн
500+5.62 грн
1000+4.54 грн
3000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114edd.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1073+13.16 грн
1741+8.11 грн
2408+5.86 грн
2763+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 1073 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.42 грн
32+9.72 грн
100+6.01 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 78189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2140509.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2140509.pdf
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G 2SC5707-TL-E.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.