Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5211DW1T1G
MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

dtc114ed-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.49 грн до 17.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.90 грн
9000+2.44 грн
24000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.97 грн
9000+2.50 грн
24000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3897+3.12 грн
9000+2.63 грн
24000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3897
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3769+3.23 грн
9000+2.72 грн
24000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3769
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3659+3.33 грн
6000+3.25 грн
12000+3.12 грн
27000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.51 грн
6000+3.03 грн
9000+2.85 грн
15000+2.48 грн
21000+2.37 грн
30000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.94 грн
1500+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2600+4.68 грн
2965+4.11 грн
4066+2.99 грн
9000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 2600
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+9.16 грн
120+7.00 грн
176+4.75 грн
500+3.94 грн
1500+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+16.05 грн
62+9.87 грн
139+4.35 грн
1000+3.68 грн
3000+2.48 грн
9000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 61605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+16.43 грн
100+15.81 грн
250+14.62 грн
500+14.01 грн
1000+13.99 грн
3000+13.96 грн
6000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 25095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.46 грн
33+10.59 грн
100+4.31 грн
1000+3.79 грн
3000+2.90 грн
9000+2.45 грн
24000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 61605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
691+17.63 грн
692+17.60 грн
1000+17.58 грн
3000+16.92 грн
6000+15.63 грн
15000+14.99 грн
30000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 691
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.67 грн
31+10.28 грн
100+6.33 грн
500+4.35 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114ed-d.pdf MUN5211DW1T1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.