MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G ON Semiconductor


dtc114edd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9317+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 9317
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.40 грн до 19.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
232+3.05 грн
389+1.82 грн
497+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3713+3.33 грн
6000+3.00 грн
9000+2.18 грн
15000+2.08 грн
21000+1.91 грн
30000+1.80 грн
75000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3713
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3641+3.40 грн
6000+3.06 грн
9000+2.22 грн
15000+2.12 грн
21000+1.95 грн
30000+1.83 грн
75000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3641
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.54 грн
6000+3.22 грн
9000+2.38 грн
15000+2.27 грн
21000+1.64 грн
30000+1.56 грн
75000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.59 грн
6000+3.26 грн
9000+2.41 грн
15000+2.30 грн
21000+1.67 грн
30000+1.58 грн
75000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.61 грн
6000+3.11 грн
9000+2.93 грн
15000+2.55 грн
21000+2.43 грн
30000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.00 грн
1500+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 53595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2090+5.92 грн
2885+4.29 грн
3276+3.78 грн
3371+3.54 грн
6000+3.19 грн
15000+2.97 грн
30000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 2090
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi DTC114ED-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 58955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.64 грн
34+10.54 грн
100+5.65 грн
500+4.12 грн
1000+3.67 грн
3000+2.90 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 53595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+17.69 грн
67+10.58 грн
68+10.48 грн
111+6.19 грн
250+5.67 грн
500+3.94 грн
1000+3.47 грн
3000+3.36 грн
6000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.17 грн
31+10.58 грн
100+6.52 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+19.02 грн
72+11.91 грн
117+7.38 грн
500+5.00 грн
1500+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1455BDF25C0CE&compId=MUN5211DW1.PDF?ci_sign=3cf432a5e8d799c49791300d0639c0541b0793dd Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.