MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G ON Semiconductor


dtc114ed-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 132000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5211DW1T1G за ціною від 1.28 грн до 18.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.63 грн
6000+2.32 грн
9000+1.96 грн
15000+1.53 грн
21000+1.41 грн
30000+1.34 грн
75000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4286+2.85 грн
9000+2.84 грн
27000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 4286
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3866+3.16 грн
75000+2.83 грн
150000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3866
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3441+3.55 грн
6000+3.02 грн
9000+2.26 грн
15000+1.65 грн
21000+1.51 грн
30000+1.44 грн
75000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3441
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.61 грн
6000+3.11 грн
9000+2.93 грн
15000+2.55 грн
21000+2.43 грн
30000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.06 грн
1500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.14 грн
6000+3.72 грн
9000+3.49 грн
15000+3.12 грн
21000+2.76 грн
30000+2.53 грн
75000+2.26 грн
150000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+6.56 грн
113+5.36 грн
149+4.09 грн
500+3.22 грн
1000+2.69 грн
3000+2.08 грн
6000+1.82 грн
9000+1.56 грн
15000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1711+7.15 грн
2337+5.23 грн
2698+4.53 грн
3624+3.26 грн
6000+2.56 грн
9000+1.83 грн
15000+1.39 грн
21000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 53605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI 2140509.pdf Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+9.42 грн
120+7.19 грн
176+4.88 грн
500+4.06 грн
1500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1197+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 1197
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.17 грн
31+10.58 грн
100+6.51 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : onsemi DTC114ED_D-1773644.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 10892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.44 грн
32+11.33 грн
100+6.11 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
3000+3.21 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 53605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
649+18.85 грн
650+18.83 грн
1000+18.79 грн
3000+18.09 грн
6000+16.73 грн
15000+16.03 грн
30000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 649
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1455BDF25C0CE&compId=MUN5211DW1.PDF?ci_sign=3cf432a5e8d799c49791300d0639c0541b0793dd Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1455BDF25C0CE&compId=MUN5211DW1.PDF?ci_sign=3cf432a5e8d799c49791300d0639c0541b0793dd Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.