Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MUN5211T1G
MUN5211T1G

MUN5211T1G

dtc114e-d.pdf
Код товару: 113765
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MUN5211T1G за ціною від 1.69 грн до 14.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
6000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.53 грн
60000+2.31 грн
120000+2.29 грн
150000+2.19 грн
240000+2.00 грн
300000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.54 грн
60000+2.32 грн
120000+2.30 грн
150000+2.20 грн
240000+2.00 грн
300000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
6000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5209+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 5209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3760+3.76 грн
9000+3.62 грн
27000+3.57 грн
51000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2723+5.20 грн
3547+3.99 грн
4088+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 2723 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2713+5.21 грн
3606+3.92 грн
4088+3.46 грн
5475+2.49 грн
6000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 2713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
93+4.48 грн
124+3.35 грн
139+3.00 грн
500+2.40 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 34070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+11.33 грн
124+6.49 грн
194+4.15 грн
500+2.81 грн
1500+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 34070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.33 грн
124+6.49 грн
194+4.15 грн
500+2.81 грн
1500+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 77065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
46+6.49 грн
100+3.99 грн
500+2.72 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.82 грн
42+7.68 грн
100+4.06 грн
500+2.96 грн
1000+2.55 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.04 грн
87+8.77 грн
95+8.00 грн
139+5.25 грн
250+4.64 грн
500+3.42 грн
1000+2.97 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.04 грн
6000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30000+2.53 грн
60000+2.31 грн
120000+2.29 грн
150000+2.19 грн
240000+2.00 грн
300000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30000+2.54 грн
60000+2.32 грн
120000+2.30 грн
150000+2.20 грн
240000+2.00 грн
300000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.72 грн
6000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5209+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 5209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3760+3.76 грн
9000+3.62 грн
27000+3.57 грн
51000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2723+5.20 грн
3547+3.99 грн
4088+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 2723 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2713+5.21 грн
3606+3.92 грн
4088+3.46 грн
5475+2.49 грн
6000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 2713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN2211.PDF
MUN5211T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
63+7.14 грн
93+4.48 грн
124+3.35 грн
139+3.00 грн
500+2.40 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G 2255300.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 34070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
71+11.33 грн
124+6.49 грн
194+4.15 грн
500+2.81 грн
1500+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G 2255300.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 34070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.33 грн
124+6.49 грн
194+4.15 грн
500+2.81 грн
1500+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 77065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.62 грн
46+6.49 грн
100+3.99 грн
500+2.72 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.82 грн
42+7.68 грн
100+4.06 грн
500+2.96 грн
1000+2.55 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
54+14.04 грн
87+8.77 грн
95+8.00 грн
139+5.25 грн
250+4.64 грн
500+3.42 грн
1000+2.97 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.