MUN5211T1G

MUN5211T1G ON Semiconductor


473703159066984dtc114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5211T1G за ціною від 0.92 грн до 13.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.67 грн
6000+1.56 грн
9000+1.42 грн
21000+1.32 грн
30000+1.17 грн
75000+1.03 грн
150000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6123+2.00 грн
75000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 6123
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.13 грн
6667+1.84 грн
9000+1.63 грн
15000+1.56 грн
21000+1.31 грн
30000+1.20 грн
75000+1.11 грн
150000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.24 грн
6000+1.91 грн
9000+1.79 грн
15000+1.55 грн
21000+1.48 грн
30000+1.40 грн
75000+1.22 грн
150000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.52 грн
1000+1.94 грн
5000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.69 грн
6000+2.39 грн
9000+2.23 грн
15000+2.00 грн
21000+1.76 грн
30000+1.60 грн
75000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4179+2.93 грн
9000+1.51 грн
27000+1.49 грн
51000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 4179
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3212+3.82 грн
3927+3.12 грн
5209+2.35 грн
5358+2.21 грн
6000+1.98 грн
15000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3212
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2907+4.22 грн
3297+3.72 грн
9000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 2907
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+5.17 грн
160+3.81 грн
210+2.89 грн
231+2.54 грн
250+2.33 грн
500+1.93 грн
1000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.20 грн
150+5.73 грн
291+2.95 грн
500+2.52 грн
1000+1.94 грн
5000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C2091FB92040CE&compId=MUN2211.PDF?ci_sign=414c3c3e3685fa2f362efb0e2f3ec37af6d380b4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.16 грн
61+6.62 грн
100+4.04 грн
500+2.94 грн
535+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G
Код товару: 113765
Додати до обраних Обраний товар

dtc114e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 209308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
48+6.70 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi DTC114E_D-1773690.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 35139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.86 грн
47+7.57 грн
100+3.98 грн
500+2.98 грн
1000+2.14 грн
3000+1.76 грн
6000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C2091FB92040CE&compId=MUN2211.PDF?ci_sign=414c3c3e3685fa2f362efb0e2f3ec37af6d380b4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.39 грн
37+8.25 грн
100+4.85 грн
500+3.53 грн
535+2.10 грн
1471+1.98 грн
75000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.