MUN5211T1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5211T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MUN5211T1G за ціною від 0.99 грн до 14.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5211T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5211T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5211T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 11400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5211T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
на замовлення 21864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5211T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 73820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5211T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MUN5211T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 50V 202mW MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MUN5211T1G Код товару: 113765 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5211T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |