MUN5211T1G

MUN5211T1G ON Semiconductor


473703159066984dtc114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5211T1G за ціною від 1.02 грн до 12.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8065+1.50 грн
9147+1.32 грн
9741+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 8065
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.10 грн
6638+1.82 грн
9000+1.62 грн
15000+1.54 грн
21000+1.10 грн
30000+1.05 грн
75000+1.04 грн
150000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
15000+1.54 грн
21000+1.46 грн
30000+1.39 грн
75000+1.21 грн
150000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.25 грн
6000+1.96 грн
9000+1.73 грн
15000+1.65 грн
21000+1.18 грн
30000+1.12 грн
75000+1.11 грн
150000+1.10 грн
300000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.28 грн
6000+1.98 грн
9000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4778+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 4778
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 56455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.58 грн
1000+2.09 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2753+4.40 грн
3659+3.31 грн
4492+2.70 грн
4839+2.41 грн
6000+2.06 грн
15000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 2753
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1812+7.57 грн
2596+4.67 грн
5000+3.50 грн
9000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 1812
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C2091FB92040CE&compId=MUN2211.PDF?ci_sign=414c3c3e3685fa2f362efb0e2f3ec37af6d380b4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 60
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.18 грн
65+6.14 грн
105+3.76 грн
500+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 209308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.45 грн
48+6.62 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G
Код товару: 113765
Додати до обраних Обраний товар

dtc114e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 56455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.71 грн
123+6.90 грн
196+4.33 грн
500+2.58 грн
1000+2.09 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 24789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.17 грн
50+7.04 грн
100+3.86 грн
500+2.65 грн
1000+2.34 грн
3000+1.66 грн
6000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C2091FB92040CE&compId=MUN2211.PDF?ci_sign=414c3c3e3685fa2f362efb0e2f3ec37af6d380b4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 60
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.21 грн
39+7.66 грн
100+4.52 грн
500+3.29 грн
571+1.95 грн
1569+1.84 грн
75000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+12.62 грн
86+8.13 грн
109+6.40 грн
136+4.91 грн
250+4.21 грн
500+3.04 грн
1000+2.51 грн
3000+2.33 грн
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.