Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MUN5211T1G

MUN5211T1G

dtc114e-d.pdf
Код товару: 113765
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MUN5211T1G за ціною від 1.70 грн до 15.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.81 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5068+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 5068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.67 грн
61+6.85 грн
89+4.65 грн
105+3.94 грн
250+3.26 грн
500+2.82 грн
554+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.34 грн
43+6.98 грн
100+4.32 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.65 грн
84+9.12 грн
91+8.35 грн
136+5.42 грн
250+4.86 грн
500+3.58 грн
1000+3.13 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
973+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 973 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
21+14.68 грн
37+8.16 грн
100+4.31 грн
500+3.14 грн
1000+2.71 грн
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.64 грн
88+8.66 грн
134+5.68 грн
500+4.08 грн
1000+3.29 грн
3000+2.30 грн
6000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8242+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.81 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5068+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 5068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN2211.PDF
MUN5211T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.67 грн
61+6.85 грн
89+4.65 грн
105+3.94 грн
250+3.26 грн
500+2.82 грн
554+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.34 грн
43+6.98 грн
100+4.32 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+14.65 грн
84+9.12 грн
91+8.35 грн
136+5.42 грн
250+4.86 грн
500+3.58 грн
1000+3.13 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
973+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 973 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+14.68 грн
37+8.16 грн
100+4.31 грн
500+3.14 грн
1000+2.71 грн
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+15.64 грн
88+8.66 грн
134+5.68 грн
500+4.08 грн
1000+3.29 грн
3000+2.30 грн
6000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G 2255300.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G 2255300.pdf
MUN5211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.