Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5211T1G
MUN5211T1G

MUN5211T1G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8065+1.60 грн
9147+1.41 грн
9741+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 8065
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5211T1G за ціною від 1.09 грн до 13.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.07 грн
6000+1.77 грн
9000+1.66 грн
15000+1.44 грн
21000+1.37 грн
30000+1.30 грн
75000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.24 грн
6638+1.95 грн
9000+1.72 грн
15000+1.65 грн
21000+1.18 грн
30000+1.12 грн
75000+1.11 грн
150000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.40 грн
6000+2.09 грн
9000+1.85 грн
15000+1.76 грн
21000+1.26 грн
30000+1.20 грн
75000+1.19 грн
150000+1.17 грн
300000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.44 грн
6000+2.12 грн
9000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 56195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.48 грн
1000+2.01 грн
5000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4778+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 4778
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2753+4.70 грн
3659+3.54 грн
4492+2.88 грн
4839+2.58 грн
6000+2.20 грн
15000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 2753
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1812+8.09 грн
2596+4.98 грн
5000+3.73 грн
9000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 1812
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 98095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.01 грн
49+6.21 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 24789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.25 грн
50+6.51 грн
100+3.56 грн
500+2.45 грн
1000+2.17 грн
3000+1.54 грн
6000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G
Код товару: 113765
Додати до обраних Обраний товар
dtc114e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.47 грн
97+8.48 грн
152+5.38 грн
500+3.19 грн
1500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+13.48 грн
86+8.69 грн
109+6.84 грн
136+5.25 грн
250+4.50 грн
500+3.25 грн
1000+2.68 грн
3000+2.49 грн
6000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G Виробник : ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor DTC114E-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,202, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G Виробник : On Semiconductor MUN%282%2C5%29211_MMUN2211L_DTC114Exx_NSBC114EF3.PDF Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.