Продукція > ONSEMI > MUN5212T1G
MUN5212T1G

MUN5212T1G onsemi

dtc124e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
6000+2.10 грн
9000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5212T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5212T1G за ціною від 1.25 грн до 97.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013749914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.47 грн
1000+2.02 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013749914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.48 грн
130+6.60 грн
295+2.91 грн
500+2.47 грн
1000+1.54 грн
5000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 12456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.22 грн
36+9.07 грн
100+4.92 грн
500+3.63 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : onsemi DTC124E_D-2310910.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.08 грн
36+9.84 грн
100+3.67 грн
1000+2.52 грн
3000+1.83 грн
9000+1.53 грн
45000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : ON Semiconductor DTC124E_D-2310910.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 60186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809049-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5212T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.