Продукція > ONSEMI > MUN5212T1G
MUN5212T1G

MUN5212T1G onsemi

dtc124e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.22 грн
6000+2.02 грн
9000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5212T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5212T1G за ціною від 1.83 грн до 12.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5212T1G MUN5212T1G onsemi dtc124e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.01 грн
46+7.05 грн
100+3.81 грн
500+2.82 грн
1000+2.40 грн
3000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G ONSEMI dtc124e-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.50 грн
110+7.51 грн
179+4.61 грн
500+3.12 грн
1000+2.68 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G ONSEMI dtc124e-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.50 грн
110+7.51 грн
179+4.61 грн
500+3.12 грн
1000+2.68 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 12456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
36+8.70 грн
100+4.73 грн
500+3.48 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G MUN5212T1G ON Semiconductor DTC124E_D-2310910.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 60186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G ON Semiconductor dtc124e-d.pdf
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G dtc124e-d.pdf
MUN5212T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+12.01 грн
46+7.05 грн
100+3.81 грн
500+2.82 грн
1000+2.40 грн
3000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G dtc124e-d.pdf
MUN5212T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
66+12.50 грн
110+7.51 грн
179+4.61 грн
500+3.12 грн
1000+2.68 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G dtc124e-d.pdf
MUN5212T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.50 грн
110+7.51 грн
179+4.61 грн
500+3.12 грн
1000+2.68 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G dtc124e-d.pdf
MUN5212T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 12456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.69 грн
36+8.70 грн
100+4.73 грн
500+3.48 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G DTC124E_D-2310910.pdf
MUN5212T1G
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 60186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1G dtc124e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.