Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5213DW1T1G
MUN5213DW1T1G

MUN5213DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+2.05 грн
507+1.19 грн
640+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5213DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5213DW1T1G за ціною від 1.81 грн до 23.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.81 грн
9000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.88 грн
9000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3979+3.06 грн
9000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3979
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5213DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 140
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
125+3.43 грн
350+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.01 грн
1000+2.97 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2530+4.81 грн
3062+3.98 грн
4077+2.99 грн
9000+2.58 грн
24000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 2530
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5213DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 140
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.90 грн
100+4.28 грн
350+3.16 грн
975+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+13.09 грн
80+7.57 грн
135+4.47 грн
1000+3.56 грн
3000+2.48 грн
9000+2.13 грн
24000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+13.43 грн
46+13.38 грн
100+12.87 грн
250+11.87 грн
500+11.37 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G
Код товару: 174648
Додати до обраних Обраний товар

dtc144ed-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+14.37 грн
850+14.32 грн
853+14.28 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.55 грн
80+10.37 грн
172+4.80 грн
500+4.01 грн
1000+2.97 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
26+11.85 грн
100+7.41 грн
500+5.11 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi DTC144ED_D-2310750.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 33146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.89 грн
26+13.34 грн
100+5.43 грн
1000+3.67 грн
3000+2.86 грн
9000+2.50 грн
24000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor DTC144ED_D-2310750.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.