Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5213DW1T1G
MUN5213DW1T1G

MUN5213DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+2.42 грн
507+1.41 грн
640+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5213DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5213DW1T1G за ціною від 2.09 грн до 24.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3979+3.13 грн
9000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3979
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.32 грн
9000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.49 грн
6000+3.01 грн
9000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.00 грн
9000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2530+4.93 грн
3062+4.07 грн
4077+3.06 грн
9000+2.64 грн
24000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 2530
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+14.72 грн
850+14.67 грн
853+14.63 грн
1000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C15BBD73C7E0CE&compId=MUN5213DW1.PDF?ci_sign=ad52f96a33a6db1128a0b04bf344a9e05d8af038 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.35 грн
42+9.58 грн
71+5.64 грн
100+4.49 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+15.47 грн
80+8.95 грн
135+5.28 грн
1000+4.21 грн
3000+2.93 грн
9000+2.52 грн
24000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+15.87 грн
46+15.81 грн
100+15.21 грн
250+14.03 грн
500+13.43 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.27 грн
32+10.06 грн
100+6.26 грн
500+4.30 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G
Код товару: 174648
Додати до обраних Обраний товар

dtc144ed-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C15BBD73C7E0CE&compId=MUN5213DW1.PDF?ci_sign=ad52f96a33a6db1128a0b04bf344a9e05d8af038 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.42 грн
25+11.94 грн
50+6.77 грн
100+5.39 грн
500+3.54 грн
1000+3.12 грн
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.62 грн
71+12.11 грн
113+7.59 грн
500+5.16 грн
1500+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi DTC144ED_D-2310750.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 33146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.75 грн
26+13.81 грн
100+5.63 грн
1000+3.80 грн
3000+2.97 грн
9000+2.58 грн
24000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor DTC144ED_D-2310750.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.