Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MUN5213DW1T1G

MUN5213DW1T1G

dtc144ed-d.pdf
Код товару: 174648
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MUN5213DW1T1G за ціною від 1.21 грн до 19.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+2.63 грн
507+1.53 грн
640+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 28480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.60 грн
9000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3979+3.64 грн
9000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2530+5.73 грн
3062+4.73 грн
4077+3.55 грн
9000+3.07 грн
24000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.78 грн
80+9.71 грн
135+5.73 грн
1000+4.56 грн
3000+3.17 грн
9000+2.73 грн
24000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ONSEMI MUN5213DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.99 грн
36+11.63 грн
54+7.74 грн
100+6.46 грн
333+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+17.11 грн
850+17.05 грн
853+17.00 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+17.21 грн
46+17.16 грн
100+16.50 грн
250+15.22 грн
500+14.57 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 30286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.85 грн
29+10.32 грн
100+6.41 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi dtc144ed-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 32598 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
17+19.23 грн
27+11.43 грн
100+6.18 грн
500+4.56 грн
1000+4.05 грн
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
295+2.63 грн
507+1.53 грн
640+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11539+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G dtc144ed-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 28480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.57 грн
6000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.60 грн
9000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3979+3.64 грн
9000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2530+5.73 грн
3062+4.73 грн
4077+3.55 грн
9000+3.07 грн
24000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+16.78 грн
80+9.71 грн
135+5.73 грн
1000+4.56 грн
3000+3.17 грн
9000+2.73 грн
24000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1.PDF
MUN5213DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.99 грн
36+11.63 грн
54+7.74 грн
100+6.46 грн
333+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
847+17.11 грн
850+17.05 грн
853+17.00 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+17.21 грн
46+17.16 грн
100+16.50 грн
250+15.22 грн
500+14.57 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G dtc144ed-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 30286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.85 грн
29+10.32 грн
100+6.41 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G dtc144ed-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 32598 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.23 грн
27+11.43 грн
100+6.18 грн
500+4.56 грн
1000+4.05 грн
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G 2255301.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G 2255301.pdf
MUN5213DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.