MUN5213T1G ON Semiconductor
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5213T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції MUN5213T1G за ціною від 0.65 грн до 14.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.31W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 5065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 26168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.31W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5065 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 24544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5213T1G Код товару: 177311 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |