MUN5213T1G ON Semiconductor
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5213T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції MUN5213T1G за ціною від 0.76 грн до 13.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5213T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 531000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140 Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar |
на замовлення 4512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140 Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4512 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 92747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5213T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 28489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MUN5213T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MUN5213T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
MUN5213T1G Код товару: 177311
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |



