Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MUN5213T1G за ціною від 0.81 грн до 10.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5213T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5213T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 531000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5213T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5213T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5213T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5213T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 92747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5213T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 28489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MUN5213T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 385 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MUN5213T1G | ON-Semiconductor |
NPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MUN5213T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.06 грн |
| 6000+ | 1.76 грн |
| 9000+ | 1.65 грн |
| 15000+ | 1.43 грн |
| 21000+ | 1.36 грн |
| 30000+ | 1.29 грн |
| 75000+ | 1.12 грн |
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.63 грн |
| 6000+ | 2.33 грн |
| 9000+ | 2.03 грн |
| 24000+ | 1.76 грн |
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5209+ | 2.71 грн |
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 6.47 грн |
| 197+ | 3.84 грн |
| 198+ | 3.81 грн |
| 326+ | 2.23 грн |
| 330+ | 2.04 грн |
| 500+ | 1.41 грн |
| 1000+ | 1.23 грн |
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 92747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 10.95 грн |
| 49+ | 6.18 грн |
| 100+ | 3.80 грн |
| 500+ | 2.59 грн |
| 1000+ | 2.27 грн |
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
кількість в упаковці: 500 шт
NPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.81 грн |
| MUN5213T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




