 
MUN5213T1G ON Semiconductor
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 1.24 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5213T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2. 
Інші пропозиції MUN5213T1G за ціною від 0.75 грн до 13.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 531000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 72000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 72000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1871 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140 Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar | на замовлення 4515 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140 Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4515 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 14736 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : onsemi |  Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 28489 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1871 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
| MUN5213T1G | Виробник : ON-Semicoductor |  NPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2800 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| MUN5213T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 536000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| MUN5213T1G Код товару: 177311 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | MUN5213T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності |