MUN5214DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7732+ | 1.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5214DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MUN5214DW1T1G за ціною від 1.68 грн до 19.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 10434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 75743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 10434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 75743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
на замовлення 52262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...140 |
на замовлення 6100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 33379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G Код товару: 56814
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...140 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dwкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |




