Купить MUN5214DW1T1G - Транзисторы - Биполярные NPN

Наименование: MUN5214DW1T1G

код товара: 56814
MUN5214DW1T1G

DOWNLOAD DTC114YD-D.PDF

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G
код товара: 56814
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Биполярные NPN
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363; Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363; Package / Case : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 250mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 47k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 10k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : 2 NPN - Pre-Biased (Dual) под заказ 8597 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363; Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363; Package / Case : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 250mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 47k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 10k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : 2 NPN - Pre-Biased (Dual) под заказ 8597 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363; Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363; Package / Case : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 250mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 47k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 10k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : 2 NPN - Pre-Biased (Dual) под заказ 6000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V под заказ 22647 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
143+ 12.5 грн
213+ 8.42 грн
508+ 3.52 грн
1000+ 2.4 грн
3000+ 1.89 грн
MUN5214DW1T1G под заказ 7387 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
MUN5214DW1T1G ON SOT-363 07+ под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
MUN5214DW1T1G 'ONSEMI' 'Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R'
количество в упаковке: 3000 шт
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание MUN5214DW1T1G

Цена MUN5214DW1T1G

от 1.89 грн до 12.5 грн
Asers Shop ©