Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MUN5214DW1T1G

MUN5214DW1T1G

dtc114yd-d.pdf
Код товару: 56814
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MUN5214DW1T1G за ціною від 2.01 грн до 20.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI dtc114yd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
на замовлення 12985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.53 грн
38+11.20 грн
44+9.67 грн
63+6.77 грн
100+5.77 грн
500+4.07 грн
1000+3.53 грн
1500+3.27 грн
3000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
32+9.62 грн
100+5.96 грн
500+4.09 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.43 грн
59+12.81 грн
148+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G onsemi dtc114yd-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 42762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI 1879301.pdf Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 69138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI 1879301.pdf Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 69138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G ON-Semiconductor dtc114yd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.12 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
на замовлення 12985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.53 грн
38+11.20 грн
44+9.67 грн
63+6.77 грн
100+5.77 грн
500+4.07 грн
1000+3.53 грн
1500+3.27 грн
3000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 50342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.65 грн
32+9.62 грн
100+5.96 грн
500+4.09 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.43 грн
59+12.81 грн
148+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 42762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G 1879301.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 69138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G 1879301.pdf
MUN5214DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 69138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.