Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5214DW1T1G
MUN5214DW1T1G

MUN5214DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7732+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 7732
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5214DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5214DW1T1G за ціною від 1.73 грн до 19.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.84 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.00 грн
6000+2.59 грн
9000+2.43 грн
15000+2.12 грн
21000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4011+3.21 грн
6098+2.11 грн
6148+2.09 грн
6383+1.95 грн
6638+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 4011
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3641+3.54 грн
9000+3.47 грн
27000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3641
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : ONSEMI 1879301.pdf Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.64 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+8.83 грн
152+4.86 грн
153+4.81 грн
213+3.34 грн
250+3.07 грн
500+1.94 грн
1000+1.92 грн
3000+1.85 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : onsemi DTC114YD-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 52262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.64 грн
42+7.50 грн
100+4.76 грн
500+3.60 грн
1000+3.19 грн
3000+2.17 грн
6000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : ONSEMI 1879301.pdf Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+13.72 грн
103+7.70 грн
143+5.57 грн
500+3.64 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 29511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.29 грн
34+8.76 грн
100+5.42 грн
500+3.72 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G Виробник : ON-Semiconductor dtc114yd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114yd-d.pdf MUN5214DW1T1G NPN SMD transistors
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.08 грн
500+2.30 грн
1372+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G
Код товару: 56814
Додати до обраних Обраний товар

dtc114yd-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.