
MUN5214DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3650+ | 3.34 грн |
9000+ | 2.34 грн |
15000+ | 1.74 грн |
24000+ | 1.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5214DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MUN5214DW1T1G за ціною від 1.30 грн до 21.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 41419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G Код товару: 56814
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 17999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 83873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 17999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 83873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 53425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5214DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5214DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |