Продукція > ONSEMI > MUN5214T1G
MUN5214T1G

MUN5214T1G onsemi

dtc114y-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.19 грн
6000+1.88 грн
9000+1.76 грн
15000+1.52 грн
21000+1.45 грн
30000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5214T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5214T1G за ціною від 2.41 грн до 11.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5214T1G MUN5214T1G ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+4.20 грн
9000+4.15 грн
27000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+5.59 грн
500+4.02 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2526+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 37901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.60 грн
45+6.63 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 27009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114yd.pdf
MUN5214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3364+4.20 грн
9000+4.15 грн
27000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114yd.pdf
MUN5214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+5.59 грн
500+4.02 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114yd.pdf
MUN5214T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114y-d.pdf
MUN5214T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 37901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.60 грн
45+6.63 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114y-d.pdf
MUN5214T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 27009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114y-d.pdf
MUN5214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114y-d.pdf
MUN5214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.