Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5214T1G
MUN5214T1G

MUN5214T1G ON Semiconductor

dtc114y-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5214T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5214T1G за ціною від 1.14 грн до 13.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5214T1G MUN5214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.60 грн
9000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
9000+1.81 грн
15000+1.57 грн
21000+1.49 грн
30000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G Виробник : ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.61 грн
1500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G Виробник : ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+8.42 грн
137+6.02 грн
223+3.71 грн
500+2.61 грн
1500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 37901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
45+6.82 грн
100+4.16 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 13124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.05 грн
52+6.51 грн
118+2.50 грн
1000+2.21 грн
3000+1.69 грн
9000+1.40 грн
24000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.