Продукція > ONSEMI > MUN5214T1G
MUN5214T1G

MUN5214T1G onsemi

dtc114y-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.24 грн
6000+1.92 грн
9000+1.80 грн
15000+1.56 грн
21000+1.48 грн
30000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5214T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5214T1G за ціною від 1.83 грн до 11.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5214T1G MUN5214T1G onsemi DTC114Y-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 9071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.32 грн
49+6.71 грн
100+3.59 грн
500+2.60 грн
1000+2.32 грн
3000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.32 грн
128+6.45 грн
169+4.87 грн
500+2.88 грн
1500+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G MUN5214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 37901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
45+6.78 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G DTC114Y-D.PDF
MUN5214T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 9071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.32 грн
49+6.71 грн
100+3.59 грн
500+2.60 грн
1000+2.32 грн
3000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114y-d.pdf
MUN5214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.32 грн
128+6.45 грн
169+4.87 грн
500+2.88 грн
1500+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214T1G dtc114y-d.pdf
MUN5214T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 37901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.87 грн
45+6.78 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.