Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5216DW1T1G
MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5216DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5216DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5216DW1T1G за ціною від 2.42 грн до 20.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Виробник : onsemi dtc143td-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.85 грн
6000+3.33 грн
9000+3.13 грн
15000+2.73 грн
21000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013711020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5216DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.36 грн
1500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Виробник : onsemi dtc143td-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 26881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
28+11.09 грн
100+6.89 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Виробник : onsemi dtc143td-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 25336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.38 грн
28+12.41 грн
100+4.92 грн
1000+4.26 грн
3000+3.23 грн
9000+2.64 грн
24000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013711020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5216DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.42 грн
67+12.35 грн
146+5.66 грн
500+4.85 грн
1500+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5216DW1T1G Виробник : ON dtc143td-d.pdf 07+;
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5216DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143td-d.pdf
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.