MUN5216DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.78 грн |
| 6000+ | 1.63 грн |
| 9000+ | 1.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5216DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5216DW1T1G за ціною від 1.94 грн до 21.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5216DW1T1G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 180-189 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5216DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 4631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | Виробник : ON |
07+; |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 712 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MUN5216DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MUN5216DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MUN5216DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
товар відсутній |