MUN5216T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.33 грн |
| 6000+ | 1.99 грн |
| 9000+ | 1.87 грн |
| 15000+ | 1.62 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5216T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 Only.
Інші пропозиції MUN5216T1G за ціною від 1.50 грн до 11.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5216T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 59000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5216T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5216T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5216T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5216T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5216T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 4609 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5216T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 15900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MUN5216T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5216T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 339320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUN5216T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.59 грн |
| MUN5216T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.59 грн |
| MUN5216T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.59 грн |
| MUN5216T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.59 грн |
| MUN5216T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.59 грн |
| MUN5216T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.65 грн |
| 47+ | 6.65 грн |
| 105+ | 2.55 грн |
| 1000+ | 2.25 грн |
| 3000+ | 1.73 грн |
| 9000+ | 1.58 грн |
| 24000+ | 1.50 грн |
| MUN5216T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.88 грн |
| 44+ | 7.01 грн |
| 100+ | 4.30 грн |
| 500+ | 2.93 грн |
| 1000+ | 2.57 грн |
| MUN5216T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5216T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5216T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 339320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



