Продукція > ONSEMI > MUN5230T1G
MUN5230T1G

MUN5230T1G onsemi

dtc113e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.38 грн
6000+3.02 грн
9000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5230T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.

Інші пропозиції MUN5230T1G за ціною від 2.03 грн до 19.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5230T1G MUN5230T1G ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4202+3.49 грн
6000+3.45 грн
9000+2.77 грн
24000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 4202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G MUN5230T1G ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.50 грн
6000+3.46 грн
9000+2.78 грн
24000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G MUN5230T1G onsemi dtc113e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 297 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
21+15.10 грн
37+8.39 грн
100+4.44 грн
500+3.24 грн
1000+2.78 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G MUN5230T1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 29129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.84 грн
23+13.30 грн
100+6.49 грн
500+5.08 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G ONSEMI ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5230T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G dtc113e-d.pdf
MUN5230T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4202+3.49 грн
6000+3.45 грн
9000+2.77 грн
24000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 4202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G dtc113e-d.pdf
MUN5230T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.50 грн
6000+3.46 грн
9000+2.78 грн
24000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G dtc113e-d.pdf
MUN5230T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 297 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+15.10 грн
37+8.39 грн
100+4.44 грн
500+3.24 грн
1000+2.78 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G dtc113e-d.pdf
MUN5230T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 29129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.84 грн
23+13.30 грн
100+6.49 грн
500+5.08 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5230T1G ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5230T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.