MUN5231T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5231T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 202 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції MUN5231T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5231T1G | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 10545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUN5231T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 10545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)