Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5232DW1T1G
MUN5232DW1T1G

MUN5232DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4732+2.98 грн
9000+2.81 грн
24000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 4732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5232DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5232DW1T1G за ціною від 2.60 грн до 22.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G onsemi dtc143ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
6000+3.38 грн
9000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3481+4.05 грн
9000+3.41 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
9000+3.42 грн
24000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3457+4.08 грн
3598+3.92 грн
3969+3.56 грн
4167+3.27 грн
4399+2.86 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.91 грн
80+9.42 грн
81+9.30 грн
185+3.94 грн
250+3.50 грн
500+3.05 грн
1000+2.90 грн
3000+2.75 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G onsemi dtc143ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 9731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.42 грн
20+14.89 грн
100+7.26 грн
500+5.68 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor DTC143ED_D-2311082.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G onsemi dtc143ed-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 24548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G dtc143ed-d.pdf
MUN5232DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.79 грн
6000+3.38 грн
9000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G dtc143ed-d.pdf
MUN5232DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3481+4.05 грн
9000+3.41 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G dtc143ed-d.pdf
MUN5232DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.06 грн
9000+3.42 грн
24000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G dtc143ed-d.pdf
MUN5232DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3457+4.08 грн
3598+3.92 грн
3969+3.56 грн
4167+3.27 грн
4399+2.86 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G dtc143ed-d.pdf
MUN5232DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+13.91 грн
80+9.42 грн
81+9.30 грн
185+3.94 грн
250+3.50 грн
500+3.05 грн
1000+2.90 грн
3000+2.75 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G dtc143ed-d.pdf
MUN5232DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 9731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.42 грн
20+14.89 грн
100+7.26 грн
500+5.68 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G DTC143ED_D-2311082.pdf
MUN5232DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G dtc143ed-d.pdf
MUN5232DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 24548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5232DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5232DW1T1G ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5232DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.