MUN5232DW1T1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4732+ | 3.01 грн |
| 9000+ | 2.84 грн |
| 24000+ | 2.44 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4732 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5232DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MUN5232DW1T1G за ціною від 2.05 грн до 22.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5232DW1T1G | onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5232DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5232DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5232DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 7675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5232DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 7675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5232DW1T1G | onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
на замовлення 24548 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5232DW1T1G | onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 9731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5232DW1T1G | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MUN5232DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MUN5232DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5232DW1T1G | ON-Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5232DW1T1G TMUN5232dwкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.78 грн |
| 6000+ | 3.37 грн |
| 9000+ | 2.80 грн |
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3481+ | 4.09 грн |
| 9000+ | 3.44 грн |
| 24000+ | 3.41 грн |
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.10 грн |
| 9000+ | 3.45 грн |
| 24000+ | 3.43 грн |
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3457+ | 4.12 грн |
| 3598+ | 3.96 грн |
| 3969+ | 3.59 грн |
| 4167+ | 3.30 грн |
| 4399+ | 2.89 грн |
| 6000+ | 2.62 грн |
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 14.04 грн |
| 80+ | 9.50 грн |
| 81+ | 9.38 грн |
| 185+ | 3.97 грн |
| 250+ | 3.53 грн |
| 500+ | 3.08 грн |
| 1000+ | 2.93 грн |
| 3000+ | 2.77 грн |
| 6000+ | 2.62 грн |
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 24548 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.21 грн |
| 31+ | 9.67 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.22 грн |
| 3000+ | 2.12 грн |
| 99000+ | 2.05 грн |
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 9731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.37 грн |
| 20+ | 14.86 грн |
| 100+ | 7.24 грн |
| 500+ | 5.67 грн |
| 1000+ | 3.94 грн |
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MUN5232DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5232DW1T1G TMUN5232dw
кількість в упаковці: 10 шт
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5232DW1T1G TMUN5232dw
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 4.88 грн |





