Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5233T1G
MUN5233T1G

MUN5233T1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 113000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20135+1.75 грн
100000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 20135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5233T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q100, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції MUN5233T1G за ціною від 1.75 грн до 15.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 37272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20135+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 20135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5301+2.67 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.73 грн
9000+2.60 грн
27000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+5.80 грн
500+4.29 грн
1000+3.60 грн
3000+2.80 грн
6000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2440+5.80 грн
3297+4.29 грн
3927+3.60 грн
4871+2.80 грн
6000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 2440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ONSEMI MUN5233.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 200
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.05 грн
59+7.21 грн
88+4.87 грн
105+4.07 грн
250+3.25 грн
500+2.77 грн
1000+2.38 грн
1500+2.19 грн
3000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
46+6.72 грн
100+4.18 грн
500+2.84 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.05 грн
82+9.23 грн
90+8.47 грн
132+5.55 грн
250+4.89 грн
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G onsemi dtc143z-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 7052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ONSEMI ONSM-S-A0013796082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ONSEMI ONSM-S-A0013796082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ONSEMI 1933164.pdf Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q100, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 37272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20135+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 20135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.67 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5301+2.67 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5173+2.73 грн
9000+2.60 грн
27000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+5.80 грн
500+4.29 грн
1000+3.60 грн
3000+2.80 грн
6000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2440+5.80 грн
3297+4.29 грн
3927+3.60 грн
4871+2.80 грн
6000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 2440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 200
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.05 грн
59+7.21 грн
88+4.87 грн
105+4.07 грн
250+3.25 грн
500+2.77 грн
1000+2.38 грн
1500+2.19 грн
3000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.89 грн
46+6.72 грн
100+4.18 грн
500+2.84 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+15.05 грн
82+9.23 грн
90+8.47 грн
132+5.55 грн
250+4.89 грн
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 7052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G ONSM-S-A0013796082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5233T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G dtc143z-d.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G ONSM-S-A0013796082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5233T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G 1933164.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q100, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.