MUN5235DW1T1G

MUN5235DW1T1G ON Semiconductor


dtc123jd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 28450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7212+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7212
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5235DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5235DW1T1G за ціною від 1.50 грн до 17.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.13 грн
6000+2.70 грн
9000+2.54 грн
15000+2.21 грн
21000+2.11 грн
30000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3788+3.43 грн
6000+3.12 грн
9000+2.50 грн
15000+2.20 грн
21000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3788
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.68 грн
6000+3.34 грн
9000+2.67 грн
15000+2.35 грн
21000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3394+3.83 грн
6000+3.47 грн
9000+2.82 грн
15000+2.40 грн
21000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3394
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.12 грн
6000+3.73 грн
9000+3.04 грн
15000+2.59 грн
21000+1.85 грн
30000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI 1813819.pdf Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.59 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.04 грн
9000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2122+6.12 грн
3441+3.78 грн
5000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 2122
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 28450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+11.23 грн
113+6.58 грн
184+4.06 грн
500+3.01 грн
1000+2.32 грн
3000+1.87 грн
6000+1.69 грн
9000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi DTC123JD-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.48 грн
36+9.04 грн
100+4.91 грн
500+3.79 грн
1000+3.23 грн
3000+2.67 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 41284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.80 грн
34+9.13 грн
100+5.65 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI 1813819.pdf Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.28 грн
81+10.16 грн
129+6.36 грн
500+4.59 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G Виробник : On Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.