Продукція > ONSEMI > MUN5235DW1T1G
MUN5235DW1T1G

MUN5235DW1T1G onsemi

dtc123jd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.07 грн
6000+2.65 грн
9000+2.49 грн
15000+2.17 грн
21000+2.07 грн
30000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5235DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції MUN5235DW1T1G за ціною від 2.69 грн до 16.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3969+3.56 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3969 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G ONSEMI 1813819.pdf Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.20 грн
136+5.95 грн
500+4.04 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+14.25 грн
1603+8.83 грн
2187+6.47 грн
2484+5.49 грн
3178+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 993 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 41284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
34+8.95 грн
100+5.54 грн
500+3.81 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G ONSEMI 1813819.pdf Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.91 грн
99+8.20 грн
136+5.95 грн
500+4.04 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G onsemi dtc123jd-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 5316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.55 грн
32+9.98 грн
100+5.44 грн
500+4.00 грн
1000+3.51 грн
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G dtc123jd-d.pdf
MUN5235DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.56 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G dtc123jd-d.pdf
MUN5235DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3969+3.56 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3969 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G dtc123jd-d.pdf
MUN5235DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G 1813819.pdf
MUN5235DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.20 грн
136+5.95 грн
500+4.04 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G dtc123jd-d.pdf
MUN5235DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
993+14.25 грн
1603+8.83 грн
2187+6.47 грн
2484+5.49 грн
3178+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 993 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G dtc123jd-d.pdf
MUN5235DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 41284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.50 грн
34+8.95 грн
100+5.54 грн
500+3.81 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G 1813819.pdf
MUN5235DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
51+15.91 грн
99+8.20 грн
136+5.95 грн
500+4.04 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1G dtc123jd-d.pdf
MUN5235DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 5316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.55 грн
32+9.98 грн
100+5.44 грн
500+4.00 грн
1000+3.51 грн
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.