Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5235T1G
MUN5235T1G

MUN5235T1G ON Semiconductor

dtc123j-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10564+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 10564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5235T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5235T1G за ціною від 1.11 грн до 14.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.83 грн
6000+1.81 грн
9000+1.65 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7732+1.83 грн
7813+1.81 грн
9000+1.65 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 7732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.85 грн
6000+1.83 грн
9000+1.68 грн
15000+1.32 грн
21000+1.22 грн
30000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
6000+1.74 грн
9000+1.63 грн
15000+1.42 грн
21000+1.35 грн
30000+1.28 грн
75000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3081+4.58 грн
3457+4.08 грн
4386+3.22 грн
7143+1.91 грн
7282+1.73 грн
15000+1.64 грн
30000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3081 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 85960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.82 грн
49+6.11 грн
100+3.76 грн
500+2.56 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.99 грн
83+9.13 грн
84+9.03 грн
163+4.46 грн
250+4.09 грн
500+3.50 грн
1000+2.76 грн
3000+1.69 грн
6000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G ONSEMI dtc123j-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 92770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G ONSEMI ONSM-S-A0017606262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 92770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.83 грн
6000+1.81 грн
9000+1.65 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7732+1.83 грн
7813+1.81 грн
9000+1.65 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 7732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.85 грн
6000+1.83 грн
9000+1.68 грн
15000+1.32 грн
21000+1.22 грн
30000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.04 грн
6000+1.74 грн
9000+1.63 грн
15000+1.42 грн
21000+1.35 грн
30000+1.28 грн
75000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3081+4.58 грн
3457+4.08 грн
4386+3.22 грн
7143+1.91 грн
7282+1.73 грн
15000+1.64 грн
30000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3081 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 85960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.82 грн
49+6.11 грн
100+3.76 грн
500+2.56 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+14.99 грн
83+9.13 грн
84+9.03 грн
163+4.46 грн
250+4.09 грн
500+3.50 грн
1000+2.76 грн
3000+1.69 грн
6000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G DTC123J_D-1387473.pdf
MUN5235T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 92770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G ONSM-S-A0017606262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5235T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 92770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.