Продукція > ONSEMI > MUN5235T1G
MUN5235T1G

MUN5235T1G onsemi

dtc123j-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.09 грн
6000+1.79 грн
9000+1.67 грн
15000+1.45 грн
21000+1.38 грн
30000+1.31 грн
75000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5235T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 202 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA.

Інші пропозиції MUN5235T1G за ціною від 1.83 грн до 11.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5235T1G MUN5235T1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 85960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
49+6.26 грн
100+3.86 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.35 грн
49+6.73 грн
100+3.52 грн
500+2.75 грн
1000+2.40 грн
3000+1.97 грн
6000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G dtc123j-d.pdf
MUN5235T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 85960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.10 грн
49+6.26 грн
100+3.86 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G DTC123J_D-1387473.pdf
MUN5235T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.35 грн
49+6.73 грн
100+3.52 грн
500+2.75 грн
1000+2.40 грн
3000+1.97 грн
6000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.