Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5235T1G
MUN5235T1G

MUN5235T1G ON Semiconductor

dtc123j-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10564+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 10564
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5235T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5235T1G за ціною від 1.07 грн до 14.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7732+1.59 грн
7813+1.58 грн
9000+1.44 грн
15000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 7732
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.71 грн
6000+1.69 грн
9000+1.54 грн
15000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.73 грн
6000+1.72 грн
9000+1.58 грн
15000+1.24 грн
21000+1.14 грн
30000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017606262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 105785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.79 грн
1500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3081+4.00 грн
3457+3.56 грн
4386+2.81 грн
7143+1.66 грн
7282+1.51 грн
15000+1.43 грн
30000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3081
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017606262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 105785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.51 грн
105+8.14 грн
179+4.77 грн
500+2.79 грн
1500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.24 грн
49+7.25 грн
100+3.80 грн
500+2.96 грн
1000+2.58 грн
3000+2.13 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.33 грн
45+7.05 грн
100+4.30 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+14.02 грн
83+8.54 грн
84+8.45 грн
163+4.17 грн
250+3.83 грн
500+3.27 грн
1000+2.58 грн
3000+1.58 грн
6000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88FAAC1C7779EB3D2&compId=mun2235.pdf?ci_sign=acd83ed011384d5d85e267c949aaa1af22e5d958 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.