MUN5235T1G

MUN5235T1G ON Semiconductor


dtc123j-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10564+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 10564
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5235T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5235T1G за ціною від 0.92 грн до 13.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.47 грн
6000+1.45 грн
9000+1.32 грн
15000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.49 грн
6000+1.47 грн
9000+1.35 грн
15000+1.06 грн
21000+0.98 грн
30000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7732+1.58 грн
7813+1.56 грн
9000+1.42 грн
15000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 7732
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
9000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017606262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 105785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.70 грн
1500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3081+3.96 грн
3457+3.53 грн
4386+2.78 грн
7143+1.65 грн
7282+1.50 грн
15000+1.42 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3081
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017606262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 105785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.14 грн
105+7.88 грн
179+4.61 грн
500+2.70 грн
1500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
45+6.82 грн
100+4.16 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+12.03 грн
83+7.33 грн
84+7.25 грн
163+3.58 грн
250+3.28 грн
500+2.81 грн
1000+2.21 грн
3000+1.36 грн
6000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G MUN5235T1G Виробник : onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 18777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.05 грн
52+6.51 грн
106+2.80 грн
3000+2.13 грн
9000+1.77 грн
24000+1.25 грн
99000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1G Виробник : ONSEMI dtc123j-d.pdf MUN5235T1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.