Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5311DW1T1G
MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G ON Semiconductor

dtc114ep-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3979+3.18 грн
6000+3.03 грн
9000+2.35 грн
24000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3979
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5311DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MUN5311DW1T1G за ціною від 1.73 грн до 20.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9464+3.34 грн
10601+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 9464
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9464+3.34 грн
10601+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 9464
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.40 грн
6000+3.25 грн
9000+2.52 грн
24000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 417000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.77 грн
6000+3.25 грн
9000+3.06 грн
15000+2.67 грн
21000+2.55 грн
30000+2.43 грн
75000+2.14 грн
150000+1.98 грн
300000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ONSEMI 1842044.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.86 грн
1500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3219+3.93 грн
6000+3.24 грн
12000+2.81 грн
27000+2.61 грн
51000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3219
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ONSEMI 1842044.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+16.39 грн
107+8.41 грн
154+5.84 грн
500+3.86 грн
1500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 417975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.00 грн
31+10.81 грн
100+6.75 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 19210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+19.41 грн
66+11.03 грн
79+9.24 грн
107+6.55 грн
250+6.00 грн
500+4.53 грн
1000+3.92 грн
3000+3.60 грн
6000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : onsemi DTC114EP-D.PDF Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 70035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+20.03 грн
31+11.94 грн
100+6.47 грн
500+4.71 грн
1000+4.15 грн
3000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G Виробник : ON-Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5311DW1T1G TMUN5311dw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114ep-d.pdf MUN5311DW1T1G Complementary transistors
на замовлення 916 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.58 грн
376+3.16 грн
1035+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.