Продукція > ONSEMI > MUN5311DW1T1G
MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.36 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5311DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5311DW1T1G за ціною від 3.34 грн до 18.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI MUN5311DW1.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.11 грн
42+10.05 грн
53+7.98 грн
62+6.73 грн
100+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 191563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
30+10.25 грн
100+6.38 грн
500+4.39 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI dtc114ep-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.40 грн
77+10.47 грн
124+6.53 грн
500+4.09 грн
1500+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 39894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
29+10.96 грн
100+5.94 грн
500+4.42 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+16.11 грн
42+10.05 грн
53+7.98 грн
62+6.73 грн
100+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 191563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.09 грн
30+10.25 грн
100+6.38 грн
500+4.39 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
47+17.40 грн
77+10.47 грн
124+6.53 грн
500+4.09 грн
1500+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 39894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.04 грн
29+10.96 грн
100+5.94 грн
500+4.42 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.