Продукція > ONSEMI > MUN5311DW1T1G
MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.36 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5311DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5311DW1T1G за ціною від 1.79 грн до 20.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ONSEMI 1842044.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.50 грн
1500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.50 грн
6000+3.35 грн
9000+2.60 грн
24000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3979+3.51 грн
6000+3.35 грн
9000+2.60 грн
24000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3979
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9464+3.68 грн
10601+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 9464
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9464+3.68 грн
10601+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 9464
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3219+4.34 грн
6000+3.58 грн
12000+3.11 грн
27000+2.88 грн
51000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3219
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5311DW1.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 60
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.23 грн
42+10.13 грн
53+8.04 грн
62+6.78 грн
100+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 225285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.21 грн
30+10.25 грн
100+6.38 грн
500+4.39 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114ep-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+17.52 грн
77+10.55 грн
124+6.58 грн
500+4.12 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 39894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.17 грн
29+11.04 грн
100+5.98 грн
500+4.45 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 19210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+20.00 грн
66+11.36 грн
79+9.52 грн
107+6.75 грн
250+6.18 грн
500+4.66 грн
1000+4.04 грн
3000+3.71 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G Виробник : On Semiconductor dtc114ep-d.pdf TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 . SOT-363 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.