Продукція > ONSEMI > MUN5311DW1T1G
MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.39 грн
6000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5311DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції MUN5311DW1T1G за ціною від 1.81 грн до 20.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+3.39 грн
9000+2.63 грн
24000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3979+3.55 грн
6000+3.39 грн
9000+2.63 грн
24000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9464+3.73 грн
10601+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9464+3.73 грн
10601+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3219+4.39 грн
6000+3.63 грн
12000+3.15 грн
27000+2.92 грн
51000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.34 грн
100+6.44 грн
500+4.43 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 19210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.27 грн
66+11.51 грн
79+9.65 грн
107+6.84 грн
250+6.26 грн
500+4.73 грн
1000+4.10 грн
3000+3.76 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI 1842044.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 74185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI 1842044.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.55 грн
6000+3.39 грн
9000+2.63 грн
24000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3979+3.55 грн
6000+3.39 грн
9000+2.63 грн
24000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9464+3.73 грн
10601+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9464+3.73 грн
10601+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 9464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3219+4.39 грн
6000+3.63 грн
12000+3.15 грн
27000+2.92 грн
51000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.24 грн
30+10.34 грн
100+6.44 грн
500+4.43 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 19210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+20.27 грн
66+11.51 грн
79+9.65 грн
107+6.84 грн
250+6.26 грн
500+4.73 грн
1000+4.10 грн
3000+3.76 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G 1842044.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 74185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T1G 1842044.pdf
MUN5311DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.