
MUN5311DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5311DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MUN5311DW1T1G за ціною від 1.82 грн до 18.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 477000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 86750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 50713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 481528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MUN5311DW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5311DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |