Продукція > ONSEMI > MUN5311DW1T2G
MUN5311DW1T2G

MUN5311DW1T2G onsemi

dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.34 грн
6000+2.89 грн
9000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5311DW1T2G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5311DW1T2G за ціною від 2.94 грн до 16.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5311DW1T2G MUN5311DW1T2G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 11812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.51 грн
32+9.61 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T2G MUN5311DW1T2G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.80 грн
32+10.21 грн
100+5.59 грн
500+4.05 грн
1000+3.63 грн
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T2G MUN5311DW1T2G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T2G MUN5311DW1T2G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T2G Виробник : ON Semiconductor DTC114EP-D.PDF Транзистор NPN подвоєний, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25, Р, Вт = 0,25, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T2G Виробник : ONSEMI dtc114ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 60
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Type of transistor: NPN / PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.