Продукція > ONSEMI > MUN5311DW1T2G

MUN5311DW1T2G onsemi


dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.30 грн
6000+2.84 грн
9000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5311DW1T2G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5311DW1T2G за ціною від 2.89 грн до 18.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5311DW1T2G MUN5311DW1T2G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 11812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.48 грн
100+5.92 грн
500+4.07 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T2G MUN5311DW1T2G onsemi dtc114ep-d.pdf Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.00 грн
30+10.69 грн
100+5.79 грн
500+4.27 грн
1000+3.79 грн
3000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T2G dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 11812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.27 грн
32+9.48 грн
100+5.92 грн
500+4.07 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5311DW1T2G dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.00 грн
30+10.69 грн
100+5.79 грн
500+4.27 грн
1000+3.79 грн
3000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.