Продукція > ONSEMI > MUN5312DW1T2G
MUN5312DW1T2G

MUN5312DW1T2G onsemi

dtc124ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.36 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5312DW1T2G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 385mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5312DW1T2G за ціною від 2.68 грн до 18.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5312DW1T2G MUN5312DW1T2G onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 176860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
30+10.31 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5312DW1T2G MUN5312DW1T2G onsemi dtc124ep-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.42 грн
30+10.94 грн
100+5.92 грн
500+4.37 грн
1000+3.88 грн
3000+2.96 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5312DW1T2G dtc124ep-d.pdf
MUN5312DW1T2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 176860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
30+10.31 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5312DW1T2G dtc124ep-d.pdf
MUN5312DW1T2G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.42 грн
30+10.94 грн
100+5.92 грн
500+4.37 грн
1000+3.88 грн
3000+2.96 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.