MUN5313DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5313DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MUN5313DW1T1G за ціною від 1.74 грн до 20.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5313DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5313DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 34341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5313DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 9201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN5313DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5313DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 9201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5313DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 3404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN5313DW1T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MUN5313DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MUN5313DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
MUN5313DW1T1G Complementary transistors |
на замовлення 890 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN5313DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN5313DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MUN5313DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |