Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5313DW1T1G
MUN5313DW1T1G

MUN5313DW1T1G ON Semiconductor

dtc144ep-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5313DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5313DW1T1G за ціною від 1.55 грн до 18.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12712+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 12712
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 34341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12712+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 12712
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3948+3.09 грн
3958+3.08 грн
5191+2.35 грн
5883+2.00 грн
6073+1.79 грн
6250+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3948
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+7.99 грн
126+4.83 грн
146+4.15 грн
211+2.77 грн
250+2.56 грн
500+1.87 грн
1000+1.65 грн
3000+1.60 грн
6000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
29+10.65 грн
100+6.64 грн
500+4.57 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ep-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.80 грн
31+11.17 грн
100+4.41 грн
1000+3.53 грн
3000+2.87 грн
9000+2.35 грн
24000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5313DW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5313DW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.