Продукція > ONSEMI > MUN5314DW1T1G
MUN5314DW1T1G

MUN5314DW1T1G onsemi

dtc114yp-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.37 грн
6000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5314DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5314DW1T1G за ціною від 1.76 грн до 18.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G ONSEMI MUN5314DW1T1G-DTE.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.63 грн
100+4.36 грн
500+3.35 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G onsemi dtc114yp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
31+9.72 грн
100+6.04 грн
500+4.16 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G onsemi dtc114yp-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 41501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
29+10.96 грн
100+5.94 грн
500+4.42 грн
1000+3.87 грн
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5314DW1T1G ON-Semiconductor dtc114yp-d.pdf TRANS 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V MUN5314DW1T1G ON SEMI TMUN5314dw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G-DTE.PDF
MUN5314DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
39+11.63 грн
100+4.36 грн
500+3.35 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5314DW1T1G dtc114yp-d.pdf
MUN5314DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.09 грн
31+9.72 грн
100+6.04 грн
500+4.16 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5314DW1T1G dtc114yp-d.pdf
MUN5314DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 41501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.04 грн
29+10.96 грн
100+5.94 грн
500+4.42 грн
1000+3.87 грн
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5314DW1T1G dtc114yp-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
TRANS 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V MUN5314DW1T1G ON SEMI TMUN5314dw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.