MUN5315DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11236+ | 2.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5315DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5315DW1T1G за ціною від 2.78 грн до 22.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN5315DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5315DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5315DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5315DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5315DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MUN5315DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 174990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5315DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5315DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MUN5315DW1T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
на замовлення 10477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5315DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 162990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G |
|
на замовлення 12132 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MUN5315DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MUN5315DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 10kΩ Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Kind of transistor: BRT; complementary pair Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 160...350 Base resistor: 10kΩ Quantity in set/package: 3000pcs. Type of transistor: NPN / PNP Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |