MUN5330DW1T1G

MUN5330DW1T1G ON Semiconductor


40dtc113ep-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5330DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MUN5330DW1T1G за ціною від 2.12 грн до 17.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 422950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+2.88 грн
210+2.86 грн
212+2.85 грн
213+2.73 грн
250+2.52 грн
500+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc113ep-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.43 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc113ep-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.74 грн
107+7.72 грн
186+4.44 грн
500+3.43 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.46 грн
37+9.26 грн
100+3.88 грн
1000+3.59 грн
3000+2.71 грн
24000+2.27 грн
45000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.42 грн
31+10.14 грн
100+6.30 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G dtc113ep-d.pdf
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.