Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5330DW1T1G
MUN5330DW1T1G

MUN5330DW1T1G ON Semiconductor

dtc113ep-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5330DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5330DW1T1G за ціною від 2.04 грн до 22.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5837+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 5837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 422950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.66 грн
10831+3.26 грн
100000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G ONSEMI 2578350.pdf Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.86 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G ONSEMI 2578350.pdf Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.13 грн
91+9.13 грн
146+5.67 грн
500+3.86 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
32+9.77 грн
100+6.08 грн
500+4.19 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G onsemi DTC113EP-D.PDF Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.68 грн
31+10.54 грн
100+5.71 грн
500+4.16 грн
1000+3.67 грн
3000+2.82 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.16 грн
57+13.24 грн
100+8.19 грн
500+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G ON Semiconductor dtc113ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G dtc113ep-d.pdf
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G dtc113ep-d.pdf
MUN5330DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5837+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 5837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G dtc113ep-d.pdf
MUN5330DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 422950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9678+3.66 грн
10831+3.26 грн
100000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G 2578350.pdf
MUN5330DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+3.86 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G 2578350.pdf
MUN5330DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
55+15.13 грн
91+9.13 грн
146+5.67 грн
500+3.86 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G dtc113ep-d.pdf
MUN5330DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.65 грн
32+9.77 грн
100+6.08 грн
500+4.19 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G DTC113EP-D.PDF
MUN5330DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.68 грн
31+10.54 грн
100+5.71 грн
500+4.16 грн
1000+3.67 грн
3000+2.82 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G dtc113ep-d.pdf
MUN5330DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+22.16 грн
57+13.24 грн
100+8.19 грн
500+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G dtc113ep-d.pdf
MUN5330DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1G dtc113ep-d.pdf
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.