Продукція > ONSEMI > MUN5331DW1T1G
MUN5331DW1T1G

MUN5331DW1T1G onsemi

dtc123ep-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5331DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5331DW1T1G за ціною від 3.19 грн до 37.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123epd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4831+6.56 грн
10000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 4831
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123epd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 121300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4831+6.56 грн
10000+5.85 грн
100000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4831
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G Виробник : onsemi dtc123ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.97 грн
32+10.55 грн
100+6.56 грн
500+4.52 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G Виробник : onsemi DTC123EP-D.PDF Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.84 грн
31+11.83 грн
100+6.41 грн
500+4.67 грн
1000+4.11 грн
3000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc123ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.06 грн
24+17.47 грн
100+9.86 грн
500+6.01 грн
1000+3.68 грн
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc123ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.27 грн
15+21.77 грн
100+11.84 грн
500+7.22 грн
1000+4.42 грн
3000+3.89 грн
6000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000134611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5331DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 205300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123epd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.