Продукція > ONSEMI > MUN5331DW1T1G
MUN5331DW1T1G

MUN5331DW1T1G onsemi

dtc123ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5331DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5331DW1T1G за ціною від 3.60 грн до 16.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G ON Semiconductor dtc123epd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4831+7.30 грн
10000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G ON Semiconductor dtc123epd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 121300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4831+7.30 грн
10000+6.52 грн
100000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G onsemi dtc123ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.24 грн
32+9.53 грн
100+5.93 грн
500+4.08 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G onsemi DTC123EP-D.PDF Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0000134611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5331DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 205300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G dtc123epd.pdf
MUN5331DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4831+7.30 грн
10000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G dtc123epd.pdf
MUN5331DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 121300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4831+7.30 грн
10000+6.52 грн
100000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G dtc123ep-d.pdf
MUN5331DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.24 грн
32+9.53 грн
100+5.93 грн
500+4.08 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G DTC123EP-D.PDF
MUN5331DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G ONSM-S-A0000134611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5331DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 205300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.