Продукція > ONSEMI > MUN5331DW1T1G
MUN5331DW1T1G

MUN5331DW1T1G onsemi

dtc123ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5331DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5331DW1T1G за ціною від 2.84 грн до 19.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G ON Semiconductor dtc123ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 121300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4831+7.58 грн
10000+6.77 грн
100000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G ON Semiconductor dtc123ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4831+7.58 грн
10000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G ONSEMI dtc123ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 8...15
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.37 грн
33+12.91 грн
39+11.12 грн
100+6.27 грн
322+3.01 грн
885+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G onsemi dtc123ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.25 грн
29+10.85 грн
100+6.75 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G MUN5331DW1T1G onsemi dtc123ep-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
16+19.66 грн
26+11.94 грн
100+6.47 грн
500+4.82 грн
1000+4.21 грн
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0000134611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5331DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 205300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G dtc123ep-d.pdf
MUN5331DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 121300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4831+7.58 грн
10000+6.77 грн
100000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G dtc123ep-d.pdf
MUN5331DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4831+7.58 грн
10000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G dtc123ep-d.pdf
MUN5331DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 8...15
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.37 грн
33+12.91 грн
39+11.12 грн
100+6.27 грн
322+3.01 грн
885+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G dtc123ep-d.pdf
MUN5331DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.25 грн
29+10.85 грн
100+6.75 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G dtc123ep-d.pdf
MUN5331DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.66 грн
26+11.94 грн
100+6.47 грн
500+4.82 грн
1000+4.21 грн
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5331DW1T1G ONSM-S-A0000134611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5331DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 205300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.