MUN5332DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 214+ | 3.39 грн |
| 356+ | 2.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5332DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.
Інші пропозиції MUN5332DW1T1G за ціною від 3.05 грн до 20.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5332DW1T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MUN5332DW1T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
на замовлення 20287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5332DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5332DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
MUN5332DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
MUN5332DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MUN5332DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Current gain: 15...30 Quantity in set/package: 3000pcs. |
товару немає в наявності |