Технічний опис MUN5333DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MUN5333DW1T1G за ціною від 2.28 грн до 20.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 26670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5333DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 26670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5333DW1T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5333DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5333DW1T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ON-Semiconductor |
Transistor PNP/NPN; Bipolarny; 50V; 10V; 4,7kOhm; 100mA; 187mW; -55°C ~ 150°C; MUN5333DW1T1G TMUN5333dwкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5455+ | 2.60 грн |
| MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 26670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3866+ | 3.67 грн |
| 3907+ | 3.63 грн |
| 4616+ | 3.07 грн |
| 4984+ | 2.74 грн |
| 5085+ | 2.49 грн |
| 6000+ | 2.34 грн |
| 15000+ | 2.28 грн |
| MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.74 грн |
| 1000+ | 3.91 грн |
| MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 26670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 10.12 грн |
| 127+ | 5.96 грн |
| 128+ | 5.91 грн |
| 207+ | 3.54 грн |
| 250+ | 3.24 грн |
| 500+ | 2.63 грн |
| 1000+ | 2.44 грн |
| 3000+ | 2.39 грн |
| 6000+ | 2.34 грн |
| MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.53 грн |
| MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.27 грн |
| 86+ | 9.42 грн |
| 137+ | 5.88 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| 1000+ | 3.91 грн |
| MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 20.05 грн |
| 24+ | 13.65 грн |
| 100+ | 7.52 грн |
| 500+ | 4.69 грн |
| 1000+ | 3.59 грн |
| 3000+ | 3.18 грн |
| MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor PNP/NPN; Bipolarny; 50V; 10V; 4,7kOhm; 100mA; 187mW; -55°C ~ 150°C; MUN5333DW1T1G TMUN5333dw
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor PNP/NPN; Bipolarny; 50V; 10V; 4,7kOhm; 100mA; 187mW; -55°C ~ 150°C; MUN5333DW1T1G TMUN5333dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.93 грн |





