Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5335DW1T1G
MUN5335DW1T1G

MUN5335DW1T1G ON Semiconductor

dtc123jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5335DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5335DW1T1G за ціною від 1.43 грн до 18.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.40 грн
9000+1.88 грн
24000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4630+2.63 грн
9000+2.06 грн
24000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 4630
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11236+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 11236
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3632+3.35 грн
6000+3.19 грн
12000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3632
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.48 грн
6000+3.01 грн
9000+2.83 грн
15000+2.47 грн
21000+2.36 грн
30000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2693+4.52 грн
2728+4.46 грн
2858+4.26 грн
4688+2.50 грн
6757+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 2693
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc123jp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.27 грн
91+8.95 грн
179+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5335DW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.65 грн
49+7.79 грн
72+5.26 грн
100+4.43 грн
426+2.08 грн
1170+1.97 грн
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+15.89 грн
61+9.95 грн
66+9.22 грн
143+4.09 грн
250+3.75 грн
500+3.55 грн
1000+3.39 грн
3000+2.07 грн
6000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 34935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.27 грн
31+10.05 грн
100+6.24 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5335DW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.58 грн
30+9.70 грн
50+6.31 грн
100+5.32 грн
426+2.49 грн
1170+2.36 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 41648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.54 грн
31+10.93 грн
100+4.06 грн
1000+3.63 грн
3000+2.18 грн
9000+2.03 грн
24000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc123jp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.