Продукція > ONSEMI > MUN5335DW1T1G
MUN5335DW1T1G

MUN5335DW1T1G onsemi

dtc123jp-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.39 грн
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5335DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5335DW1T1G за ціною від 3.28 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3371+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3371
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2748+5.14 грн
2891+4.88 грн
3043+4.64 грн
3212+4.24 грн
6000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 2748
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+8.85 грн
124+6.11 грн
134+5.64 грн
140+5.19 грн
250+4.59 грн
500+4.19 грн
1000+3.98 грн
3000+3.77 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ONSEMI MUN5335DW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.41 грн
42+10.24 грн
60+7.06 грн
100+5.99 грн
500+4.15 грн
1000+3.57 грн
1500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.41 грн
30+10.36 грн
100+6.45 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G onsemi dtc123jp-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.09 грн
22+14.88 грн
100+7.95 грн
500+5.70 грн
1000+4.99 грн
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ONSEMI dtc123jp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ONSEMI dtc123jp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jpd.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jpd.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jpd.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3371+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3371
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jpd.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2748+5.14 грн
2891+4.88 грн
3043+4.64 грн
3212+4.24 грн
6000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 2748
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jpd.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+8.85 грн
124+6.11 грн
134+5.64 грн
140+5.19 грн
250+4.59 грн
500+4.19 грн
1000+3.98 грн
3000+3.77 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1.PDF
MUN5335DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.41 грн
42+10.24 грн
60+7.06 грн
100+5.99 грн
500+4.15 грн
1000+3.57 грн
1500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.41 грн
30+10.36 грн
100+6.45 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.09 грн
22+14.88 грн
100+7.95 грн
500+5.70 грн
1000+4.99 грн
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jpd.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.