Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5335DW1T1G
MUN5335DW1T1G

MUN5335DW1T1G ON Semiconductor

dtc123jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4348+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 4348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4348 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5335DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції MUN5335DW1T1G за ціною від 2.21 грн до 27.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
6000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9405+3.90 грн
10564+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 9405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3598+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+10.36 грн
122+6.41 грн
158+4.96 грн
159+4.75 грн
250+4.36 грн
500+4.15 грн
1000+4.13 грн
3000+4.09 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1414+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 1414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.25 грн
29+10.85 грн
100+6.75 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ONSEMI MUN5335DW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.77 грн
33+13.16 грн
100+7.21 грн
415+2.33 грн
1140+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G onsemi dtc123jp-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 8055 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
12+27.91 грн
20+15.92 грн
100+8.50 грн
500+6.09 грн
1000+5.34 грн
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ONSEMI dtc123jp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G ONSEMI dtc123jp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.77 грн
6000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9405+3.90 грн
10564+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 9405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3598+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3125+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+10.36 грн
122+6.41 грн
158+4.96 грн
159+4.75 грн
250+4.36 грн
500+4.15 грн
1000+4.13 грн
3000+4.09 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1414+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 1414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.25 грн
29+10.85 грн
100+6.75 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1.PDF
MUN5335DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.77 грн
33+13.16 грн
100+7.21 грн
415+2.33 грн
1140+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 8055 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.91 грн
20+15.92 грн
100+8.50 грн
500+6.09 грн
1000+5.34 грн
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G dtc123jp-d.pdf
MUN5335DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.