Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5335DW1T1G
MUN5335DW1T1G

MUN5335DW1T1G ON Semiconductor

dtc123jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5335DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MUN5335DW1T1G за ціною від 1.51 грн до 21.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5556+2.28 грн
7854+1.61 грн
9000+1.59 грн
15000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 5556
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.44 грн
6000+1.72 грн
9000+1.71 грн
15000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4546+2.78 грн
6000+2.67 грн
12000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 4546
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9405+3.36 грн
10564+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 9405
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3473+3.64 грн
4762+2.65 грн
5435+2.33 грн
5475+2.23 грн
6000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3473
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.70 грн
6000+3.19 грн
9000+3.00 грн
15000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc123jp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+9.43 грн
112+6.48 грн
113+6.40 грн
183+3.81 грн
250+3.48 грн
500+2.44 грн
1000+2.14 грн
3000+2.12 грн
6000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5335DW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.12 грн
46+9.07 грн
65+6.47 грн
100+5.63 грн
500+4.14 грн
1000+3.67 грн
1500+3.42 грн
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.14 грн
32+10.65 грн
100+6.62 грн
500+4.56 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5335DW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.35 грн
28+11.30 грн
50+7.77 грн
100+6.76 грн
500+4.97 грн
1000+4.40 грн
1500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : onsemi DTC123JP-D.PDF Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 37035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+20.03 грн
31+11.94 грн
100+6.47 грн
500+4.71 грн
1000+4.15 грн
3000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc123jp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+21.32 грн
70+12.90 грн
112+8.03 грн
500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.