MUN5335DW1T2G ON Semiconductor
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21000+ | 1.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5335DW1T2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5335DW1T2G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MUN5335DW1T2G за ціною від 1.74 грн до 21.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN5335DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5335DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5335DW1T2G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5335DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5335DW1T2G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 7603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5335DW1T2G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
на замовлення 2544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5335DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5335DW1T2G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5335DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5335DW1T2G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MUN5335DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MUN5335DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Mounting: SMD |
товару немає в наявності |