Технічний опис MUN5336DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 100kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5336DW1T1G за ціною від 3.06 грн до 34.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5336DW1T1G | ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MUN5336DW1T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MUN5336DW1T1G | ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Quantity in set/package: 3000pcs. Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 100kΩ Power dissipation: 0.385W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 80...150 Base-emitter resistor: 100kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| MUN5336DW1T1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 297000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MUN5336DW1T1G | onsemi |
Digital Transistors Complementary NPN+PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) |
на замовлення 6038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUN5336DW1T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.06 грн |
| MUN5336DW1T1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.78 грн |
| 30+ | 10.20 грн |
| 100+ | 6.39 грн |
| MUN5336DW1T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.385W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 80...150
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.385W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 80...150
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 34.75 грн |
| 39+ | 10.67 грн |
| 100+ | 8.27 грн |
| 500+ | 5.76 грн |
| 1000+ | 4.29 грн |
| MUN5336DW1T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MUN5336DW1T1G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors Complementary NPN+PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
Digital Transistors Complementary NPN+PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)