MUR10020CT GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5885.66 грн |
| 10+ | 5021.91 грн |
| 25+ | 4103.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR10020CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції MUR10020CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR10020CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику
од. на суму грн.