Технічний опис MUR10020CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Twin Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Twin Tower, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MUR10020CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MUR10020CT | IXYS |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR10020CT |
|
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)