Продукція > MOTOROLA > MUR10040CT

MUR10040CT MOTOROLA

mur10040ct.pdf
Виробник: MOTOROLA

на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUR10040CT MOTOROLA

Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.

Інші пропозиції MUR10040CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CT MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CT mur10040ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CT mur10040ct.pdf
MUR10040CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.