MUR1100ERLG onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
10+ | 28.3 грн |
100+ | 19.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR1100ERLG onsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції MUR1100ERLG за ціною від 11.92 грн до 39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MUR1100ERLG | Виробник : onsemi | Rectifiers 1000V 1A UltraFast |
на замовлення 84856 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 1,75; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; trr, нс = 100; Тексп, °C = -65...+175; DO-41 |
на замовлення 869 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MUR1100ERLG Код товару: 31325 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-35 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUR1100ERLG | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: CASE59 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 35A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUR1100ERLG | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUR1100ERLG | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: CASE59 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 35A |
товар відсутній |