MUR20020CT GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8178.32 грн |
| 10+ | 7500.98 грн |
| 25+ | 6354.31 грн |
| 40+ | 6353.61 грн |
| 120+ | 6350.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR20020CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Twin Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Twin Tower, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MUR20020CT за ціною від 7947.51 грн до 7947.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUR20020CT | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| MUR20020CT | MOTOROLA |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR20020CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7947.51 грн |
| MUR20020CT |
|
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)