MUR20060CT GeneSiC Semiconductor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8923.93 грн |
| 10+ | 7725.80 грн |
| 25+ | 6379.82 грн |
| 40+ | 6377.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR20060CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції MUR20060CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MUR20060CT |
 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
MUR20060CT Код товару: 175448
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||
| MUR20060CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
||
| MUR20060CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |